Kort introduktion
IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1700V 75A.
Funktioner
- Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
- 10 μs kortslutningsförmåga
- VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
-
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
- Låg induktanshus
- Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
- Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
Typiska Tillämpningar
- Inverterare för motordrivning
- Förstärkare för AC- och DC-servoanström
- Oavbrutbar strömförsörjning
Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat
IGBT
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1700 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25o C @ T C =100o C |
136
75
|
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
150 |
A |
P D |
Maximal Ström Dissipation @ T vj =175o C |
539 |
W |
Diod
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1700 |
V |
Jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent |
75 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
150 |
A |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
T vjmax |
Maximal temperatur vid korsningen |
175 |
o C |
T vjop |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
o C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut. |
4000 |
V |
IGBT Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare Mätningsspänning
|
Jag C =75A,V Generella =15V, T vj =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
Jag C =75A,V Generella =15V, T vj =125o C |
|
2.25 |
|
Jag C =75A,V Generella =15V, T vj =150o C |
|
2.35 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =3.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd |
|
|
8.5 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
9.03 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.22 |
|
nF |
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15 ...+15V |
|
0.71 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =60nH ,T vj =25o C
|
|
237 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
59 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
314 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
361 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
25.0 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
9.5 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =60nH ,T vj =125o C
|
|
254 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
70 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
383 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
524 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
33.3 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
15.1 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =60nH ,T vj =150o C
|
|
257 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
75 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
396 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
588 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
36.9 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
16.6 |
|
mJ |
Jag SC |
SK-uppgifter |
t P ≤10μs, V Generella =15V,
T vj =150o C ,V CC =1000V
V CEM ≤ 1700V
|
|
300 |
|
A |
Diod Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V F
|
Diod framåt Spänning |
Jag F =75A,V Generella =0V,T vj =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
Jag F =75A,V Generella =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Jag F =75A,V Generella =0V,T vj =150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =75A,
-di/dt=700A/μs, V Generella =-15V Lärare =60nH ,T vj =25o C
|
|
16.4 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
58 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
7.2 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =75A,
-di/dt=600A/μs, V Generella =-15V Lärare =60nH ,T vj =125o C
|
|
30.8 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
64 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
15.8 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =75A,
-di/dt=600A/μs, V Generella =-15V Lärare =60nH ,T vj =150o C
|
|
31.4 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
64 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
18.2 |
|
mJ |
Modul Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
L CE |
Strömavtryck |
|
|
30 |
nH |
R CC+EE |
Modul blymotstånd Terminal till chip |
|
0.65 |
|
mΩ |
R tJC |
Tvättpunkt -till -Case (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.) |
|
|
0.278 0.467 |
K/W |
|
R thCH
|
Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul) |
|
0.160 0.268 0.050 |
|
K/W |
M |
Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
150 |
|
g |
EN
