GD75HFX170C1S, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

136

75

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

150

A

PD

Maximal Ström Dissipation @ T vj =175o C

539

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

75

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

150

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=75A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75A,V Generella =15V, T vj =125o C

2.25

IC=75A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=3.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

8.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

9.03

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.22

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=75A, R G=6,8Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =60nH ,T vj =25o C

237

n

t r

Uppgångstid

59

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

314

n

t f

Hösttid

361

n

Epå

Tänd Växling Förlust

25.0

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

9.5

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=75A, R G=6,8Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =60nH ,T vj =125o C

254

n

t r

Uppgångstid

70

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

383

n

t f

Hösttid

524

n

Epå

Tänd Växling Förlust

33.3

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

15.1

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=75A, R G=6,8Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =60nH ,T vj =150o C

257

n

t r

Uppgångstid

75

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

396

n

t f

Hösttid

588

n

Epå

Tänd Växling Förlust

36.9

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

16.6

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

300

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =75A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

IF =75A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs, V Generella =-15V Lärare =60nH ,T vj =25o C

16.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

58

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

7.2

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs, V Generella =-15V Lärare =60nH ,T vj =125o C

30.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

64

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

15.8

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs, V Generella =-15V Lärare =60nH ,T vj =150o C

31.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

64

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

18.2

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

30

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.65

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.278 0.467

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

150

g