GD75HFX170C1S, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C

136

75

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

150

A

P D

Maximal Ström Dissipation @ T vj = 175 o C

539

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

75

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

150

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =75A,V Generella =15V, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

Jag C =75A,V Generella =15V, T vj =125 o C

2.25

Jag C =75A,V Generella =15V, T vj = 150 o C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =3.0 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

8.5

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

9.03

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.22

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =60 nH ,T vj =25 o C

237

n

t r

Uppgångstid

59

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

314

n

t f

Hösttid

361

n

E på

Tänd Växling Förlust

25.0

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

9.5

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =60 nH ,T vj =125 o C

254

n

t r

Uppgångstid

70

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

383

n

t f

Hösttid

524

n

E på

Tänd Växling Förlust

33.3

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

15.1

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =60 nH ,T vj = 150 o C

257

n

t r

Uppgångstid

75

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

396

n

t f

Hösttid

588

n

E på

Tänd Växling Förlust

36.9

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

16.6

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T vj = 150 o C ,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

300

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F =75A,V Generella =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

Jag F =75A,V Generella =0V,T vj =12 5o C

1.90

Jag F =75A,V Generella =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs, V Generella =-15V Lärare =60 nH ,T vj =25 o C

16.4

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

58

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

7.2

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs, V Generella =-15V Lärare =60 nH ,T vj =125 o C

30.8

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

64

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

15.8

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs, V Generella =-15V Lärare =60 nH ,T vj = 150 o C

31.4

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

64

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

18.2

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

30

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.65

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.278 0.467

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

150

g