Alla kategorier
FÅ EN OFFERT
EN EN

Få ett gratispris

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Hemsida /  Produkter /  IGBT-modul /  IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

GD720HTA120P6HLT,IGBT Modul,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Modul,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Modul,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Modul,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Modul,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Modul,STARPOWER

GD720HTA120P6HLT,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 720A Förpackning:P6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD720HTA120P6HLT
FÅ EN OFFERT
  • Introduktion
  • Översikt
  • Ekvivalent krets schema
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 720A.

Funktioner

  • Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
  • Låga bytesförluster
  • 4μs kortslutningsförmåga
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad koppar pinfin basplatta med Si3N4AMB-teknik

Typiska Tillämpningar

  • Bilindustrin ansökan
  • Hybrid- och elfordon
  • Inverterare för motordrivning

Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag CN

Implementerad samlare Cu rent

720

A

Jag C

Samlarström @ T F =65o C

600

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

1440

A

P D

Maximal effektförlust ation @ T F =75o C T vj =175o C

1204

W

Diod

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd spänning generella

1200

V

Jag FN

Implementerad samlare Cu rent

720

A

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

600

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1440

A

Modul

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

För 10s inom en period av 30s, förekomst maximalt 3000 gånger under livslängd jag

-40 till +150 +150 till +175

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

IGBT Egenskaper T F =25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C = 600 A, V Generella =15V, T vj =25o C

1.50

V

Jag C = 600 A, V Generella =15V, T vj =150o C

1.80

Jag C = 600 A, V Generella =15V, T vj =175o C

1.85

Jag C =720A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.60

Jag C =720A,V Generella =15V, T vj =175o C

2.05

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =15.6mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

6.0

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

1.67

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

48.7

nF

C övriga

Utgångskapacitet

1.55

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.26

nF

Q G

Portavgift

V CE =800V,I C =600A, V Generella =-8...+15V

3.52

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =800V,I C = 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V Generella =-8V/+15V, T vj =25o C

208

n

t r

Uppgångstid

65

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

505

n

t f

Hösttid

104

n

E på

Tänd Växling Förlust

77.7

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

62.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =800V,I C = 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V Generella =-8V/+15V, T vj =150o C

225

n

t r

Uppgångstid

75

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

567

n

t f

Hösttid

191

n

E på

Tänd Växling Förlust

110

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

83.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =800V,I C = 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V Generella =-8V/+15V, T vj =175o C

226

n

t r

Uppgångstid

77

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

583

n

t f

Hösttid

203

n

E på

Tänd Växling Förlust

118

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

85.9

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤4μs, V Generella =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2600

A

Diod Egenskaper T F =25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F = 600 A, V Generella =0V,T vj =25o C

1.95

V

Jag F = 600 A, V Generella =0V,T vj =150o C

1.95

Jag F = 600 A, V Generella =0V,T vj =175o C

1.90

Jag F =720A,V Generella =0V,T vj =25o C

2.05

Jag F =720A,V Generella =0V,T vj =175o C

2.05

Q r

Återkrävt avgift

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V Generella = 8 V, T vj =25o C

44.3

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

346

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

16.2

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V Generella = 8 V, T vj =150o C

73.4

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

385

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

27.8

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V Generella = 8 V, T vj =175o C

80.7

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

392

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

30.7

mJ

NTC Egenskaper T F =25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modul Egenskaper T F =25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L CE

Strömavtryck

8

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.75

mΩ

p

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

T basplatta <40o C

T basplatta 40o C

(relativ tryck)

2.5 2.0

bar

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-till-kylvätska (per Di (s.d.) △V/ △t=10.0 dm 3/min ,T F =75o C

0.072 0.104

0.083 0.120

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vikt av Modul

750

g

Översikt

Ekvivalent krets schema

Få ett gratispris

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAD PRODUKT

GD720HTA120P6HT,IGBT Modul,STARPOWER
GD720HTA120P6HT,IGBT Modul,STARPOWER
MTx800 MFx800 MT800,Tyristor/diodmoduler,luftkylning
MTx800 MFx800 MT800,Tyristor/diodmoduler,luftkylning
Y75ZPA-B, Hållare 18000V 400V Svetsdiod Optimerad för högström likriktare Mycket låg tröskelspänning och lutningsresistans Mycket låg termisk resistans Typiska applikationer Högströmsapplikationer För svetsmaskiner upp till 2000Hz Elektrodförzinkning
Y75ZPA-B, Hållare 18000V 400V Svetsdiod Optimerad för högström likriktare Mycket låg tröskelspänning och lutningsresistans Mycket låg termisk resistans Typiska applikationer Högströmsapplikationer För svetsmaskiner upp till 2000Hz Elektrodförzinkning
GD200HFF120C2S, IGBT-modul, STARPOWER
GD200HFF120C2S, IGBT-modul, STARPOWER
Y76ZKD, snabbåterställningsdiod
Y76ZKD, snabbåterställningsdiod
H100KFM,Icke symmetrisk snabbavstängning thyristor
H100KFM,Icke symmetrisk snabbavstängning thyristor
Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

FÅ EN OFFERT

Få ett gratispris

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett gratispris

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000