1200V 720A Förpackning:P6
Kort introduktion
IGBT-modul ,producerad av STARPOWER .1200V 720A.
Funktioner
Vanliga användningsområden
Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat
IGBT
Symbol |
BESKRIVNING |
Värden |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
ICN |
Implementerad samlare Cu rent |
720 |
A |
IC |
Samlarström @ T F =65o C |
600 |
A |
ICm |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
1440 |
A |
PD |
Maximal effektförlust ation @ T F =75o C T vj =175o C |
1204 |
W |
Diod
Symbol |
BESKRIVNING |
Värden |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd spänning generella |
1200 |
V |
IFN |
Implementerad samlare Cu rent |
720 |
A |
IF |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent |
600 |
A |
IFM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
1440 |
A |
Modul
Symbol |
BESKRIVNING |
Värde |
Enhet |
T vjmax |
Maximal temperatur vid korsningen |
175 |
o C |
|
T vjop |
Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig För 10s inom en period av 30s, förekomst maximalt 3000 gånger under livslängd jag |
-40 till +150 +150 till +175 |
o C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mIN |
3000 |
V |
IGBT Egenskaper T F =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat) |
Samlare till emitterare Mätningsspänning |
IC= 600 A, V Generella =15V, T vj =25o C |
|
1.50 |
|
V |
IC= 600 A, V Generella =15V, T vj =150o C |
|
1.80 |
|
|||
IC= 600 A, V Generella =15V, T vj =175o C |
|
1.85 |
|
|||
IC=720A,V Generella =15V, T vj =25o C |
|
1.60 |
|
|||
IC=720A,V Generella =15V, T vj =175o C |
|
2.05 |
|
|||
V Generella (th) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
IC=15.6mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C |
|
6.0 |
|
V |
ICES |
Samlar Avbrott – Avstängd Nuvarande |
V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd |
|
|
1.67 |
|
ω |
Cies |
Inmatningskapacitet |
V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V |
|
48.7 |
|
nF |
Cövriga |
Utgångskapacitet |
|
1.55 |
|
nF |
|
Cres |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.26 |
|
nF |
|
QG |
Portavgift |
V CE =800V,I C =600A, V Generella =-8...+15V |
|
3.52 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =800V,I C= 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, LS =24nH, V Generella =-8V/+15V, T vj =25o C |
|
208 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
65 |
|
n |
|
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
505 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
104 |
|
n |
|
Epå |
Tänd Växling Förlust |
|
77.7 |
|
mJ |
|
Eavstängd |
Avstängning Förlust |
|
62.2 |
|
mJ |
|
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =800V,I C= 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, LS =24nH, V Generella =-8V/+15V, T vj =150o C |
|
225 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
75 |
|
n |
|
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
567 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
191 |
|
n |
|
Epå |
Tänd Växling Förlust |
|
110 |
|
mJ |
|
Eavstängd |
Avstängning Förlust |
|
83.4 |
|
mJ |
|
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =800V,I C= 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, LS =24nH, V Generella =-8V/+15V, T vj =175o C |
|
226 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
77 |
|
n |
|
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
583 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
203 |
|
n |
|
Epå |
Tänd Växling Förlust |
|
118 |
|
mJ |
|
Eavstängd |
Avstängning Förlust |
|
85.9 |
|
mJ |
|
ISC |
SK-uppgifter |
t P≤4μs, V Generella =15V, T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V |
|
2600 |
|
A |
Diod Egenskaper T F =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V F |
Diod framåt Spänning |
IF = 600 A, V Generella =0V,T vj =25o C |
|
1.95 |
|
V |
IF = 600 A, V Generella =0V,T vj =150o C |
|
1.95 |
|
|||
IF = 600 A, V Generella =0V,T vj =175o C |
|
1.90 |
|
|||
IF =720A,V Generella =0V,T vj =25o C |
|
2.05 |
|
|||
IF =720A,V Generella =0V,T vj =175o C |
|
2.05 |
|
|||
Qr |
Återkrävt avgift |
V R =800V,I F = 600A, -di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V Generella = 8 V, T vj =25o C |
|
44.3 |
|
μC |
IRM |
Höjdpunkt omvänd Återställningsström |
|
346 |
|
A |
|
Erec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
16.2 |
|
mJ |
|
Qr |
Återkrävt avgift |
V R =800V,I F = 600A, -di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V Generella = 8 V, T vj =150o C |
|
73.4 |
|
μC |
IRM |
Höjdpunkt omvänd Återställningsström |
|
385 |
|
A |
|
Erec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
27.8 |
|
mJ |
|
Qr |
Återkrävt avgift |
V R =800V,I F = 600A, -di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V Generella = 8 V, T vj =175o C |
|
80.7 |
|
μC |
IRM |
Höjdpunkt omvänd Återställningsström |
|
392 |
|
A |
|
Erec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
30.7 |
|
mJ |
NTC Egenskaper T F =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
R 25 |
Nominellt motstånd |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Avvikelse av R 100 |
T C=100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Ström Dissipation |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Egenskaper T F =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
LCE |
Strömavtryck |
|
8 |
|
nH |
R CC+EE |
Modul blymotstånd Terminal till chip |
|
0.75 |
|
mΩ |
|
p |
Maximal tryck i kylcirkulationen svamp T basplatta <40o C T basplatta 40o C (relativ tryck) |
|
|
2.5 2.0 |
bar |
|
R thJF |
Tvättpunkt – till – Kylning Vätska (perIGBT )Junction-till-kylvätska (per Di (s.d.) △V/ △t=10.0 dm 3/mIN ,T F =75o C |
|
0.072 0.104 |
0.083 0.120 |
K/W |
M |
Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4 |
3.6 1.8 |
|
4.4 2.2 |
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
750 |
|
g |
Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.
EN
