GD600HFX120C6SA,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C

1108

600

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

1200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 o C

4054

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

600

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C = 600 A, V Generella =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

Jag C = 600 A, V Generella =15V, T j =125 o C

1.90

Jag C = 600 A, V Generella =15V, T j = 150 o C

1.95

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C = 24,0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0.7

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

62.1

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

1.74

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

4.62

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V Generella =±15V,T j =25 o C

266

n

t r

Uppgångstid

82

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

400

n

t f

Hösttid

192

n

E på

Tänd Växling Förlust

65.7

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

52.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V Generella =±15V,T j =125 o C

282

n

t r

Uppgångstid

94

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

448

n

t f

Hösttid

290

n

E på

Tänd Växling Förlust

96.2

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

67.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V Generella =±15V,T j = 150 o C

286

n

t r

Uppgångstid

94

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

459

n

t f

Hösttid

299

n

E på

Tänd Växling Förlust

107

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

70.3

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =25 o C

1.95

2.40

V

Jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =1 25o C

2.05

Jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =1 50o C

2.10

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5500A/μs, L S =34nH, V Generella =-15V,T j =25 o C

23.8

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

260

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

11.7

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4700A/μs, L S =34nH, V Generella =-15V,T j =125 o C

65.1

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

293

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

26.4

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4600A/μs, L S =34nH, V Generella =-15V,T j = 150 o C

76.7

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

306

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

30.6

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.80

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.037 0.065

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.028 0.050 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g