Kort introduktion
IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 600A.
Funktioner
- Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
- 10 μs kortslutningsförmåga
- VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
- Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
- Låg induktanshus
- Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
- Isolerad kopparbottenplatta med HPS DBC-teknik
Typiska Tillämpningar
- Inverterare för motordrivning
- Förstärkare för AC- och DC-servoanström
- Oavbrutbar strömförsörjning
Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat
IGBT
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning
Övergående spänning för utgivare
|
±20 ±30 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25o C @ T C =100o C |
925
600
|
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
1200 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C |
3000 |
W |
Diod
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1200 |
V |
Jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent |
600 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
1200 |
A |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
T jmax |
Maximal temperatur vid korsningen |
175 |
o C |
T - Vad? |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
o C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut. |
4000 |
V |
IGBT Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare Mätningsspänning
|
Jag C = 600 A, V Generella =15V, T j =25o C |
|
1.65 |
2.00 |
V
|
Jag C = 600 A, V Generella =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
Jag C = 600 A, V Generella =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =24.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd |
|
|
1.25 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V |
|
60.8 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
1.84 |
|
nF |
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15…+15V |
|
4.64 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S =34nH , V Generella =±15V,T j =25o C
|
|
339 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
95 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
468 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
168 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
63.7 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
56.4 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S =34nH , V Generella =±15V,T j =125o C
|
|
418 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
135 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
567 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
269 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
108 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
72.3 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S =34nH , V Generella =±15V,T j =150o C
|
|
446 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
151 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
602 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
281 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
123 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
78.2 |
|
mJ |
|
Jag SC
|
SK-uppgifter
|
t P ≤10μs, V Generella =15V,
T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
2400
|
|
A
|
Diod Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V F
|
Diod framåt Spänning |
Jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
Jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V CC =600V,I F = 600A,
-di/dt=5210A/μs,V Generella = 15 V, L S =34nH ,T j =25o C
|
|
49.3 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
300 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
24.1 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V CC =600V,I F = 600A,
-di/dt=3490A/μs,V Generella = 15 V, L S =34nH ,T j =125o C
|
|
85.2 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
314 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
33.8 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V CC =600V,I F = 600A,
-di/dt=3080A/μs,V Generella = 15 V, L S =34nH ,T j =150o C
|
|
102 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
318 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
36.8 |
|
mJ |
Modul Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
L CE |
Strömavtryck |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Modul blymotstånd, terminal till chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
R tJC |
Tvättpunkt -till -Case (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod) |
|
|
0.050 0.080 |
K/W |
|
R thCH
|
Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul) |
|
0.033 0.052 0.010 |
|
K/W |
M |
Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
300 |
|
g |