GD600HFX120C2SA ,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

Övergående spänning för utgivare

±20 ±30

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

925

600

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1200

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

3000

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

600

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =25o C

1.65

2.00

V

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =125o C

1.95

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=24.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

1.25

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

60.8

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

1.84

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

4.64

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V Generella =±15V,T j =25o C

339

n

t r

Uppgångstid

95

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

468

n

t f

Hösttid

168

n

Epå

Tänd Växling Förlust

63.7

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

56.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V Generella =±15V,T j =125o C

418

n

t r

Uppgångstid

135

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

567

n

t f

Hösttid

269

n

Epå

Tänd Växling Förlust

108

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

72.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V Generella =±15V,T j =150o C

446

n

t r

Uppgångstid

151

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

602

n

t f

Hösttid

281

n

Epå

Tänd Växling Förlust

123

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

78.2

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =125o C

1.90

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5210A/μs,V Generella = 15 V, LS =34nH ,T j =25o C

49.3

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

300

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

24.1

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=3490A/μs,V Generella = 15 V, LS =34nH ,T j =125o C

85.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

314

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

33.8

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=3080A/μs,V Generella = 15 V, LS =34nH ,T j =150o C

102

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

318

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

36.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.050 0.080

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.033 0.052 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g