IGBT-modul GD950HTX75P6H Srarpower

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

750

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

ICN

Implementerad samlare Cu rent

950

A

IC

Samlarström @ T F =75o C

450

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1900

A

PD

Maximal effektförlust ation @ T F =75o C T vj =175o C

877

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

750

V

IFN

Implementerad samlare Cu rent

950

A

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

450

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1900

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

I 10 sekunder inom en tidsperiod av 30 sekunder, förekomst maximalt 3000 gånger under livstiden

-40 till +150 +150 till +175

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC= 450 A, V Generella =15V, T vj =25o C

1.35

1.60

V

IC= 450 A, V Generella =15V, T vj =150o C

1.60

IC= 450 A, V Generella =15V, T vj =175o C

1.65

IC=950A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.75

IC=950A,V Generella =15V, T vj =175o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=9.60mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

4.9

5.8

6.5

V

IC=9.60mA ,V CE =V Generella , T vj =175 o C

4.1

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0.7

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =50V,f=100kHz, V Generella =0V

69.1

nF

Cövriga

Utgångskapacitet

2.31

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

1.05

nF

QG

Portavgift

V CE =400V,I C = 450 A, V Generella =-8...+15V

3.29

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C= 450 A, R G=2.4Ω,

V Generella =-8V/+15V, LS =24nH,

T vj =25o C

191

n

t r

Uppgångstid

83

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

543

n

t f

Hösttid

158

n

Epå

Tänd Växling Förlust

16.8

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

20.5

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C= 450 A, R G=2.4Ω,

V Generella =-8V/+15V, LS =24nH,

T vj =150o C

207

n

t r

Uppgångstid

96

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

594

n

t f

Hösttid

190

n

Epå

Tänd Växling Förlust

22.5

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

24.5

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C= 450 A, R G=2.4Ω,

V Generella =-8V/+15V, LS =24nH,

T vj =175o C

208

n

t r

Uppgångstid

103

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

613

n

t f

Hösttid

190

n

Epå

Tänd Växling Förlust

26.7

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

26.9

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 6 μs,V Generella =15V,

4800

A

T vj =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF = 450 A, V Generella =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450 A, V Generella =0V,T vj =150o C

1.35

IF = 450 A, V Generella =0V,T vj =175o C

1.30

IF =950A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.75

IF =950A,V Generella =0V,T vj =175o C

1.75

Qr

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=5520A/μs,V Generella =-8V LS =24nH ,T vj =25o C

16.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

222

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

4.50

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=4810A/μs,V Generella =-8V LS =24nH ,T vj =150o C

32.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

283

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

8.19

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=4630A/μs,V Generella =-8V LS =24nH ,T vj =175o C

36.3

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

292

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

9.03

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

8

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dm 3/mINUT ,T F =75o C

64

mbar

p

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

T basplatta <40o C

T basplatta 40o C

(relativ tryck)

2.5 2.0

bar

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod) △V/ △t=10.0 dm 3/mINUT ,T F =75o C

0.098 0.140

0.114 0.160

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vikt av Modul

750

g