GD400HTX120P4SA, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

ICN

Implementerad samlare Cu rent

400

A

IC

Samlarström @ T F =25o C @ T F =75o C

400

300

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

800

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

1500

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IFN

Implementerad Forward Cu rent

400

A

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

300

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

800

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=300A,V Generella =15V, T j =25o C

1.50

1.95

V

IC=300A,V Generella =15V, T j =125o C

1.60

IC=300A,V Generella =15V, T j =150o C

1.65

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=16.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.3

5.8

6.3

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

41.4

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

1.16

nF

QG

Portavgift

V Generella =15V

3.11

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =500V,I C=300A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =25nH ,T j =25o C

74

n

t r

Uppgångstid

31

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

352

n

t f

Hösttid

255

n

Epå

Tänd Växling Förlust

4.01

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

22.9

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =500V,I C=300A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Ls=25nH,T j =125o C

81

n

t r

Uppgångstid

34

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

411

n

t f

Hösttid

397

n

Epå

Tänd Växling Förlust

7.40

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

32.2

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =500V,I C=300A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Ls=25nH,T j =150o C

82

n

t r

Uppgångstid

36

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

425

n

t f

Hösttid

434

n

Epå

Tänd Växling Förlust

8.90

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

35.2

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =300A,V Generella =0V,T j =25o C

1.70

2.15

V

IF =300A,V Generella =0V,T j =125o C

1.70

IF =300A,V Generella =0V,T j =150o C

1.70

Qr

Återkrävt avgift

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=10600A/μs, V Generella =-15V Ls=25nH,T j =25o C

15.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

391

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

9.40

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=9600A/μs, V Generella =-15V Ls=25nH,T j =125o C

24.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

457

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

18.4

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=9500A/μs,V Generella =-15V Ls=25nH,T j =150o C

29.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

488

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

23.2

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

△p

Tryckfall Kyl Cir svamp

△V/ △t=10.0 dm 3/mINUT ;T F =25o C;Kylning Vätska=50% Vatten/50% Etylenglykol

100

mbar

p

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

2.5

bar

LCE

Strömavtryck

14

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.80

mΩ

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT ) Junction-till-kylvätska (per Di (s.d.)

0.100 0.125

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

1250

g