MK(H)x200 MK200, Snabba avstängnings thyristormoduler, Luftkylning

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

600V

MKx200-06-413F3D

MHx200-06-413F3D

800V

MKx200-08-413F3D

MHx200-08-413F3D

1000V

MKx200-10-413F3D

MHx200-10-413F3D

1200V

MKx200-12-413F3D

MHx200-12-413F3D

1400V

MKx200-14-413F3D

MHx200-14-413F3D

1600V

MKx200-16-413F3D

MHx200-16-413F3D

1800V

MKx200-18-413F3D

MHx200-18-413F3D

1800V

MK200-18-413F3DG

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

Jag _T(AV)

Medel påslagsström

180° halvsinusböljan 50Hz Ensidigt kyld, Tc=85 ℃

125

200

A

Jag _T(RMS)

RMS på-läget ström

314

A

Jag _DRM Jag _RRM

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

50

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halvsinusböljan VR=60%VRRM

125

4.8

kA

I2t

I2t för smältkoordination

115

10³A ²s

V _Till

Tröskelspänning

125

1.65

V

r _T

Påslags lutningsmotstånd

0.60

m

V _TM

Topp påslags spänning

ITM=600A

25

2.65

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=200A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

20

40

µs

25

6

16

µs

Jag _GT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

180

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

2.5

V

IH

Hållström

20

200

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

V _GD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.100

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.040

℃ /W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

FM

Terminalanslutning vridmoment(M8)

10.0

12.0

N·m

Monteringsmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

770

g

Översikt

413F3D