Y50KFG, Icke symmetrisk snabb avstängning thyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

T j (℃)

Värde

ENHET

MINUT

Typ

Max

IT (AV )

Medel påslagsström

180。halv sinusvåg 50Hz Dubbel sidoskyddad,

T C=55℃

125

1200

A

T C=70℃

125

1000

A

V DRM

Upprepande topp avstängningsspänning

tp=10ms

125

2000

3000

V

V RRM

Upprepande topp omvänd spänning

1000

2500

IDRM /IRRM

Upprepande spetsström

vid V DRM /VRRM

125

80

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinus våg V R =0.6V RRM

125

16

kA

I2t

I2t för fusion samordning

1280

103A2s

V Till

Tröskelspänning

125

1.55

V

r T

Påslags lutningsmotstånd

0.40

mΩ

V TM

Topp påslags spänning

ITM =3000A, F=24kN

20≤tq ≤35

25

2.80

V

36≤tq ≤60

2.60

V

61≤tq ≤75

2.40

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängd spänning

V Dm =0.67V DRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av påslagen nuvarande (Icke-repetitiv)

V Dm = 67% V DRM till 1600A,

Gate-puls t r ≤0.5μs IGM =1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Återställningsladdning

ITM =1000A ,tp=4000µs, di/ dt=-20A/µs, V R =100V

125

750

µC

tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM =1000A ,tp=4000µs, V R =100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

100

20

75

µs

IGT

Portutlösningsström

V A=12V, IA=1A

25

40

300

mA

V GT

Portutlösningsspänning

0.9

3.0

V

IH

Hållström

20

500

mA

IL

Låsningsström

500

mA

V GD

Icke-utlösningsportspänning

V Dm =67%V DRM

125

0.3

V

R th(j-c)

Termal motstånd Junction till hölje

dubbel sida kyld Klämkraft 24kN

0.020

℃ /W

R th(c-h)

Termal motstånd hölje till värmeavläggare

0.005

F m

Monteringskraft

19

26

kN

T vj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

T sTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

W t

Vikt

440

g

Översikt

KT50cT