Y50KFG, Icke symmetrisk snabb avstängning thyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

T j (℃ )

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

Jag T (AV )

Medel påslagsström

180。halv sinusvåg 50Hz Dubbel sidoskyddad,

T C =55℃

125

1200

A

T C =70℃

125

1000

A

V DRM

Upprepande topp avstängningsspänning

tp=10ms

125

2000

3000

V

V RRM

Upprepande topp omvänd spänning

1000

2500

Jag DRM /IRRM

Upprepande spetsström

vid V DRM /VRRM

125

80

mA

Jag TSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinus våg V R =0.6 V RRM

125

16

kA

Jag 2t

Jag 2t för fusion samordning

1280

103A 2s

V Till

Tröskelspänning

125

1.55

V

r T

Påslags lutningsmotstånd

0.40

mΩ

V TM

Topp påslags spänning

Jag TM =3000A, F=24kN

20≤ tq ≤ 35

25

2.80

V

36≤ tq ≤ 60

2.60

V

61≤ tq ≤ 75

2.40

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängd spänning

V Dm =0.67 V DRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av påslagen nuvarande (Icke-repetitiv)

V Dm = 67% V DRM till 1600A,

Gate-puls t r ≤0.5μs Jag GM =1.5A

125

1500

A/μs

Q rr

Återställningsladdning

Jag TM =1000A ,tp=4000µs, di/ dt=-20A/µs, V R =100V

125

750

µC

tq

Kretskommuterad avstängningstid

Jag TM =1000A ,tp=4000µs, V R =100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

100

20

75

µs

Jag GT

Portutlösningsström

V A =12V, Jag A =1A

25

40

300

mA

V GT

Portutlösningsspänning

0.9

3.0

V

Jag H

Hållström

20

500

mA

Jag L

Låsningsström

500

mA

V GD

Icke-utlösningsportspänning

V Dm =67% V DRM

125

0.3

V

R th (j-c)

Termal motstånd Junction till hölje

dubbel sida kyld Klämkraft 24kN

0.020

℃ /W

R th (c-h)

Termal motstånd hölje till värmeavläggare

0.005

F m

Monteringskraft

19

26

kN

T vj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

T sTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

W t

Vikt

440

g

Översikt

KT50cT