GD225HFX120C6S, IGBT-modul, STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 225A.

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
10 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Inverterare för motordrivning
Förstärkare för AC- och DC-servoanström
Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25 o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
Jag C	Samlarström @ T C =25 o C @ T C =195 o C	338 225	A
Jag CM	Pulsad samlarström t p =1 ms	450	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 o C	1071	W

Diod

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt ålder	1200	V
Jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent	225	A
Jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms	450	A

Modul

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
T jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	o C
T - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	o C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	o C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	Jag C =225A,V Generella =15V, T j =25 o C		1.75	2.20	V
		Jag C =225A,V Generella =15V, T j =125 o C		2.00
		Jag C =225A,V Generella =15V, T j = 150 o C		2.05
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	Jag C =8.16 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C			1.0	mA
Jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Inre portmotstånd förhandsbeskrivning			0.7		ω
C ies	Inmatningskapacitet	V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		23.3		nF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		0.65		nF
Q G	Portavgift	V Generella =-15 ...+15V		1.75		μC
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =225A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 o C		136		n
t r	Uppgångstid			34		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			372		n
t f	Hösttid			69		n
E på	Tänd Växling Förlust			5.78		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			16.7		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =225A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 o C		145		n
t r	Uppgångstid			34		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			461		n
t f	Hösttid			88		n
E på	Tänd Växling Förlust			10.6		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			26.0		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =225A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 o C		153		n
t r	Uppgångstid			34		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			490		n
t f	Hösttid			98		n
E på	Tänd Växling Förlust			12.8		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			28.9		mJ
Jag SC	SK-uppgifter	t P ≤10μs, V Generella =15V, T j = 150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		900		A

Diod Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V F	Diod framåt Spänning	Jag F =225A,V Generella =0V,T j =25 o C		1.85	2.30	V
		Jag F =225A,V Generella =0V,T j =1 25o C		1.90
		Jag F =225A,V Generella =0V,T j =1 50o C		1.95
Q r	Återkrävt avgift	V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V Generella = 15 V, T j =25 o C		25.9		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			345		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			11.8		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V Generella = 15 V, T j =125 o C		49.5		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			368		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			21.6		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V Generella = 15 V, T j = 150 o C		56.4		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			391		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			24.5		mJ

NTC Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
∆R/R	Avvikelse av R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Enhet
L Ce	Strömavtryck		20		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		1.10		mΩ
R tJC	Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)			0.140 0.203	K/W
R thCH	Housse -till -Värmesänkande (perIGBT ) Hylsa till värmesänk (per diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)		0.030 0.044 0.009		K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G	Vikt av Modul		350		g