Alla kategorier
Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Startsida/Produkter/IGBT-modul/IGBT-modul 1200V

GD225HFX120C6S,IGBT-modul,STARPOWER

IGBT-modul, 1200V 225A, Förpackning: C6.1

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD225HFX120C6S
  • Introduktion
  • Översikt
  • Ekvivalent krets schema
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER .1200V 225A.

Egenskaper

  • Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Maximal fjälltemperatur 175
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Vanliga användningsområden

  • Inverterare för motordrivning
  • Förstärkare för AC- och DC-servoanström
  • Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=195o C

338

225

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

450

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

1071

W

Diod

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

225

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

450

A

Modul

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=225A,V Generella =15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC=225A,V Generella =15V, T j =125o C

2.00

IC=225A,V Generella =15V, T j =150o C

2.05

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=8.16mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.7

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

23.3

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.65

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

1.75

μC

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=225A, R G=1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

136

n

t r

Uppgångstid

34

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

372

n

t f

Hösttid

69

n

E

Tänd Växling Förlust

5.78

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

16.7

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=225A, R G=1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C

145

n

t r

Uppgångstid

34

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

461

n

t f

Hösttid

88

n

E

Tänd Växling Förlust

10.6

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

26.0

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=225A, R G=1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C

153

n

t r

Uppgångstid

34

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

490

n

t f

Hösttid

98

n

E

Tänd Växling Förlust

12.8

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

28.9

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

900

A

Diod Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =225A,V Generella =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =225A,V Generella =0V,T j =125o C

1.90

IF =225A,V Generella =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V Generella = 15 V, T j =25o C

25.9

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

345

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

11.8

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V Generella = 15 V, T j =125o C

49.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

368

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

21.6

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V Generella = 15 V, T j =150o C

56.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

391

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

24.5

mJ

NTC Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modul Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.140 0.203

K/W

R thCH

Fall -till -Värmesänkande (perIGBT ) Hylsa till värmesänk (per diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.030 0.044 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g

Översikt

Ekvivalent krets schema

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Relaterad produkt

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella försäljningsteam väntar på dina frågor.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000