GD200HFU120C2S,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C=65o C

262

200

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

400

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T =150o C

1315

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

200

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

400

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC=200A,V Generella =15V, T j =25o C

3.00

3.45

V

IC=200A,V Generella =15V, T j =125o C

3.80

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=2.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

4.5

5.4

6.5

V

ICES

Samlar Avbrott – Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.3

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

13.0

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

0.85

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

2.10

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G= 4,7Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

87

n

t r

Uppgångstid

40

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

451

n

t f

Hösttid

63

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

6.8

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

11.9

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G= 4,7Ω,V Generella =± 15 V, T j = 125o C

88

n

t r

Uppgångstid

44

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

483

n

t f

Hösttid

78

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

11.4

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

13.5

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =125o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1300

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt

Spänning

IF =200A,V Generella =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF =200A,V Generella =0V,T j =125o C

2.00

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

13.3

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

236

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

6.6

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Generella =- 15V T j =125o C

23.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

269

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

10.5

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

LCE

Strömavtryck

30

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.095

0.202

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.029

0.063

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g