GD200FFY120C6S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C= 100o C

309

200

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

400

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T =175o C

1006

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

200

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

400

A

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC=200A,V Generella =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=200A,V Generella =15V, T j =125o C

1.95

IC=200A,V Generella =15V, T j =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=5.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

4.0

ω

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

150

n

t r

Uppgångstid

32

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

330

n

t f

Hösttid

93

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

11.2

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

11.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 125o C

161

n

t r

Uppgångstid

37

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

412

n

t f

Hösttid

165

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

19.8

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

17.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150o C

161

n

t r

Uppgångstid

43

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

433

n

t f

Hösttid

185

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

21.9

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

19.1

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

IF =200A,V Generella =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =200A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A,V Generella =0V,T j = 150o C

1.65

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

17.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

228

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

7.7

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =125o C

31.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

238

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

13.8

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =150o C

36.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

247

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

15.2

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

δR/R

Avvikelse av R 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

21

nH

R CC+EE

Modulledmotstånd e, Terminal till Chip

1.80

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.149

0.206

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.031

0.043

0.009

K/W

M

Monteringsskruv:M6

3.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g