1200V 200A
Kort introduktion
IGBT-modul ,tillverkad av STARPOWER. 1200V 200A.
Funktioner
Typiska Tillämpningar
Absolut Maximal Betyg T C =25 o C om inte i annat fall noterat
IGBT
| Symbol | Beskrivning | Värden | Enhet | 
| V CES | Kollektor-emitterspänning | 1200 | V | 
| V GES | Gate-emitter spänning | ±20 | V | 
| Jag C | Samlarström @ T C =25 o C @ T C = 100o C | 309 200 | A | 
| Jag CM | Pulsad samlarström t p =1 ms | 400 | A | 
| P D | Maximal effekt Dissipation @ T = 175 o C | 1006 | W | 
Diod
| Symbol | Beskrivning | Värden | Enhet | 
| V RRM | Upprepad toppomvänd spänning | 1200 | V | 
| Jag F | Diod kontinuerlig framåtström hyra | 200 | A | 
| Jag FM | Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms | 400 | A | 
Modul
| Symbol | Beskrivning | Värden | Enhet | 
| T jmax | Maximal temperatur vid korsningen | 175 | o C | 
| T - Vad? | Användningstemperatur vid kryssningsstationen | -40 till +150 | o C | 
| T STG | Lagringstemperatur Räckvidd | -40 till +125 | o C | 
| V ISO | Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min | 2500 | V | 
IGBT Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
| Symbol | Parameter | Testförhållanden | Min. | Typ. | Max. | Enhet | 
| 
 
 V CE (sat) | 
 
 Samlare till emitterare Mätningsspänning | Jag C =200A,V Generella =15V, T j =25 o C | 
 | 1.70 | 2.15 | 
 
 V | 
| Jag C =200A,V Generella =15V, T j =125 o C | 
 | 1.95 | 
 | |||
| Jag C =200A,V Generella =15V, T j = 150 o C | 
 | 2.00 | 
 | |||
| V Generella (th ) | Gränssnitt för gate-emitterare Spänning | Jag C =5.0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V | 
| Jag CES | Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande | V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C | 
 | 
 | 1.0 | mA | 
| Jag GES | Läckage i port-sändaren Nuvarande | V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C | 
 | 
 | 400 | nA | 
| R Gint | Inre portmotstånd förhandsbeskrivning | 
 | 
 | 4.0 | 
 | ω | 
| t d (på ) | Tidsfördröjning för på- | 
 
 V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 o C | 
 | 150 | 
 | n | 
| t r | Uppgångstid | 
 | 32 | 
 | n | |
| t d (avstängd ) | Avstängning Fördröjningstider | 
 | 330 | 
 | n | |
| t f | Hösttid | 
 | 93 | 
 | n | |
| E på | Tänd Växling Förlust | 
 | 11.2 | 
 | mJ | |
| E avstängd | Avstängning Förlust | 
 | 11.3 | 
 | mJ | |
| t d (på ) | Tidsfördröjning för på- | 
 
 V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 125o C | 
 | 161 | 
 | n | 
| t r | Uppgångstid | 
 | 37 | 
 | n | |
| t d (avstängd ) | Avstängning Fördröjningstider | 
 | 412 | 
 | n | |
| t f | Hösttid | 
 | 165 | 
 | n | |
| E på | Tänd Växling Förlust | 
 | 19.8 | 
 | mJ | |
| E avstängd | Avstängning Förlust | 
 | 17.0 | 
 | mJ | |
| t d (på ) | Tidsfördröjning för på- | 
 
 V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150o C | 
 | 161 | 
 | n | 
| t r | Uppgångstid | 
 | 43 | 
 | n | |
| t d (avstängd ) | Avstängning Fördröjningstider | 
 | 433 | 
 | n | |
| t f | Hösttid | 
 | 185 | 
 | n | |
| E på | Tänd Växling Förlust | 
 | 21.9 | 
 | mJ | |
| E avstängd | Avstängning Förlust | 
 | 19.1 | 
 | mJ | |
| 
 Jag SC | 
 SK-uppgifter | t P ≤ 10 μs, V Generella =15V, T j = 150 o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V | 
 | 
 800 | 
 | 
 A | 
Diod Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
| Symbol | Parameter | Testförhållanden | Min. | Typ. | Max. | Enheter | 
| 
 V F | Diod framåt Spänning | Jag F =200A,V Generella =0V,T j =25 o C | 
 | 1.65 | 2.10 | 
 V | 
| Jag F =200A,V Generella =0V,T j = 125o C | 
 | 1.65 | 
 | |||
| Jag F =200A,V Generella =0V,T j = 150o C | 
 | 1.65 | 
 | |||
| Q r | Återkrävt avgift | V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j =25 o C | 
 | 17.6 | 
 | μC | 
| Jag RM | Höjdpunkt omvänd Återställningsström | 
 | 228 | 
 | A | |
| E rec | Omvänd återhämtning Energi | 
 | 7.7 | 
 | mJ | |
| Q r | Återkrävt avgift | V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j =125 o C | 
 | 31.8 | 
 | μC | 
| Jag RM | Höjdpunkt omvänd Återställningsström | 
 | 238 | 
 | A | |
| E rec | Omvänd återhämtning Energi | 
 | 13.8 | 
 | mJ | |
| Q r | Återkrävt avgift | V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j = 150 o C | 
 | 36.6 | 
 | μC | 
| Jag RM | Höjdpunkt omvänd Återställningsström | 
 | 247 | 
 | A | |
| E rec | Omvänd återhämtning Energi | 
 | 15.2 | 
 | mJ | 
NTC Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
| Symbol | Parameter | Testförhållanden | Min. | Typ. | Max. | Enhet | 
| R 25 | Nominellt motstånd | 
 | 
 | 5.0 | 
 | kΩ | 
| δR/R | Avvikelse av R 100 | T C = 100 o C,R 100=493.3Ω | -5 | 
 | 5 | % | 
| P 25 | Ström Dissipation | 
 | 
 | 
 | 20.0 | mW | 
| B 25/50 | B-värde | R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] | 
 | 3375 | 
 | K | 
| B 25/80 | B-värde | R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] | 
 | 3411 | 
 | K | 
| B 25/100 | B-värde | R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] | 
 | 3433 | 
 | K | 
Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
| Symbol | Parameter | Min. | Typ. | Max. | Enhet | 
| L Ce | Strömavtryck | 
 | 21 | 
 | nH | 
| R CC+EE | Modulledmotstånd e, Terminal till Chip | 
 | 1.80 | 
 | mΩ | 
| R tJC | Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod) | 
 | 
 | 0.149 0.206 | K/W | 
| 
 R thCH | Hylsa till värmesänk (per IGBT) Högsta värmeeffekt (p) diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul) | 
 | 0.031 0.043 0.009 | 
 | K/W | 
| M | Monteringsskruv:M6 | 3.0 | 
 | 6.0 | N.M | 
| G | Vikt av Modul | 
 | 300 | 
 | g | 


Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.   
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.