Kort introduktion
IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 150A.
Funktioner
- Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
- 10 μs kortslutningsförmåga
- VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
-
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
- Låg induktanshus
- Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
- Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
Typiska Tillämpningar
- Inverterare för motordrivning
- Förstärkare för AC- och DC-servoanström
- Oavbrutbar strömförsörjning
Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat
IGBT-omvandlare
Symbol |
Beskrivning |
Värden |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25o C @ T C =100o C |
292
150
|
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
300 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C |
1111 |
W |
Diod-omvandlare
Symbol |
Beskrivning |
Värden |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1200 |
V |
Jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent |
150 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
300 |
A |
Diode-rektifierare
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1600 |
V |
Jag O |
Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg |
150 |
A |
Jag FSM |
Överspännings framström t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C |
1600
1400
|
A |
Jag 2t |
Jag 2t-värde, t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C |
13000
9800
|
A 2s |
IGBT-broms
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25o C @ T C =100o C |
200
100
|
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
200 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C |
833 |
W |
Diod -broms
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1200 |
V |
Jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent |
50 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
100 |
A |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
T jmax |
Maximal spänningsföreningstemperatur (inverterare, broms) Maximala kopplings temperatur (rektifierare) |
175
150
|
o C |
T - Vad? |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
o C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT -inverter Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare Mätningsspänning
|
Jag C =150A,V Generella =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Jag C =150A,V Generella =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
Jag C =150A,V Generella =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =6.00mA ,V CE =V Generella , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd förhandsbeskrivning |
|
|
2.0 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
15.5 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.44 |
|
nF |
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15 ...+15V |
|
1.17 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C
|
|
96 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
30 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
255 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
269 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
8.59 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
12.3 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C
|
|
117 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
37 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
307 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
371 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
13.2 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
16.8 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C
|
|
122 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
38 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
315 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
425 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
14.8 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
18.1 |
|
mJ |
|
Jag SC
|
SK-uppgifter
|
t P ≤10μs, V Generella =15V,
T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V
|
|
600
|
|
A
|
Diod -inverter Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enheter |
|
V F
|
Diod framåt Spänning |
Jag F =150A,V Generella =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.25 |
V
|
Jag F =150A,V Generella =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
Jag F =150A,V Generella =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =150A,
-di/dt=4750A/μs,V Generella =-15V T j =25o C
|
|
8.62 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
177 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
5.68 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =150A,
-di/dt=3950A/μs,V Generella =-15V T j =125o C
|
|
16.7 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
191 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
10.2 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =150A,
-di/dt=3750A/μs,V Generella =-15V T j =150o C
|
|
19.4 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
196 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
12.1 |
|
mJ |
Diod -rektifierare Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
V F |
Diod framåt Spänning |
Jag C =150A, T j =150o C |
|
1.00 |
|
V |
Jag R |
Omvänd ström |
T j =150o C,V R =1600V |
|
|
3.0 |
mA |
IGBT -broms Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare Mätningsspänning
|
Jag C =100A,V Generella =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Jag C =100A,V Generella =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
Jag C =100A,V Generella =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =4.00mA ,V CE =V Generella , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd förhandsbeskrivning |
|
|
7.5 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
10.4 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.29 |
|
nF |
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15 ...+15V |
|
0.08 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C
|
|
170 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
32 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
360 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
86 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
5.90 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
6.05 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C
|
|
180 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
42 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
470 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
165 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
9.10 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
9.35 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C
|
|
181 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
43 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
480 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
186 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
10.0 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
10.5 |
|
mJ |
|
Jag SC
|
SK-uppgifter
|
t P ≤10μs, V Generella =15V,
T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V
|
|
400
|
|
A
|
Diod -broms Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V F
|
Diod framåt Spänning |
Jag F =50A,V Generella =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Jag F =50A,V Generella =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
Jag F =50A,V Generella =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =50A,
-di/dt=1400A/μs,V Generella =-15V T j =25o C
|
|
6.3 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
62 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
1.67 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =50A,
-di/dt=1400A/μs,V Generella =-15V T j =125o C
|
|
10.1 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
69 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
2.94 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =50A,
-di/dt=1400A/μs,V Generella =-15V T j =150o C
|
|
11.5 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
72 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
3.63 |
|
mJ |
NTC Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
R 25 |
Nominellt motstånd |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Avvikelse av R 100 |
T C =100 o C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Ström
Dissipation
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
L CE |
Strömavtryck |
|
40 |
|
nH |
R CC+EE R AA ’+CC ’ |
Modulledningsresistans nce, Terminal till Chip |
|
4.00 3.00 |
|
mΩ |
|
R tJC
|
Tvättpunkt -till -Case (perIGBT -inverter ) Förbindelse-till-kassa (per DIOD-inverterare) r) Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier) Tvättpunkt -till -Case (perIGBT -broms )
Förening-till-kassa (per Diode-br ake)
|
|
|
0.135 0.300 0.238 0.180 0.472 |
K/W
|
|
R thCH
|
Case -till -Värmesänkande (perIGBT -inverter )Kasse-till-kylblock (per Diode-i nverter) Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier) Case -till -Värmesänkande (perIGBT -broms )
Kassa-till-kylblock (per Dio de-brake) Hylsa till värmesänk (per Modul)
|
|
0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009 |
|
K/W
|
M |
Monteringsmoment Skruv: M5 |
3.0 |
|
6.0 |
N.M |
EN
