GD150PIY120C6SN, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

292

150

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

300

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

1111

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

150

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

300

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1600

V

IO

Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg

150

A

IFSM

Överspännings framström t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-värde, t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2s

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

200

100

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

200

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

833

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

50

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

100

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal spänningsföreningstemperatur (inverterare, broms) Maximala kopplings temperatur (rektifierare)

175

150

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=150A,V Generella =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=150A,V Generella =15V, T j =125o C

1.95

IC=150A,V Generella =15V, T j =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=6.00mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

2.0

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

15.5

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.44

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

1.17

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

96

n

t r

Uppgångstid

30

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

255

n

t f

Hösttid

269

n

Epå

Tänd Växling Förlust

8.59

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

12.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C

117

n

t r

Uppgångstid

37

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

307

n

t f

Hösttid

371

n

Epå

Tänd Växling Förlust

13.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

16.8

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C

122

n

t r

Uppgångstid

38

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

315

n

t f

Hösttid

425

n

Epå

Tänd Växling Förlust

14.8

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

18.1

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

IF =150A,V Generella =0V,T j =25o C

1.85

2.25

V

IF =150A,V Generella =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V Generella =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V Generella =-15V T j =25o C

8.62

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

177

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

5.68

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V Generella =-15V T j =125o C

16.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

191

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

10.2

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V Generella =-15V T j =150o C

19.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

196

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

12.1

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IC=150A, T j =150o C

1.00

V

IR

Omvänd ström

T j =150o C,V R =1600V

3.0

mA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=100A,V Generella =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=100A,V Generella =15V, T j =125o C

1.95

IC=100A,V Generella =15V, T j =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=4.00mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

7.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

10.4

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.29

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.08

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=100A, R G=1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

170

n

t r

Uppgångstid

32

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

360

n

t f

Hösttid

86

n

Epå

Tänd Växling Förlust

5.90

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

6.05

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=100A, R G=1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C

180

n

t r

Uppgångstid

42

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

470

n

t f

Hösttid

165

n

Epå

Tänd Växling Förlust

9.10

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

9.35

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=100A, R G=1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C

181

n

t r

Uppgångstid

43

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

480

n

t f

Hösttid

186

n

Epå

Tänd Växling Förlust

10.0

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

10.5

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =50A,V Generella =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =50A,V Generella =0V,T j =125o C

1.90

IF =50A,V Generella =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V Generella =-15V T j =25o C

6.3

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

62

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

1.67

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V Generella =-15V T j =125o C

10.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

69

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

2.94

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V Generella =-15V T j =150o C

11.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

72

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

3.63

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

40

nH

R CC+EE R AA ’+CC ’

Modulledningsresistans nce, Terminal till Chip

4.00 3.00

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT -inverter ) Förbindelse-till-kassa (per DIOD-inverterare) r) Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier) Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT -broms )

Förening-till-kassa (per Diode-br ake)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

R thCH

Fall -till -Värmesänkande (perIGBT -inverter )Kasse-till-kylblock (per Diode-i nverter) Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier) Fall -till -Värmesänkande (perIGBT -broms )

Kassa-till-kylblock (per Dio de-brake) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

M

Monteringsmoment Skruv: M5

3.0

6.0

N.M