GD1200SGX170A3S,IGBT Modul,Högströms IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C

2206

1200

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

2400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 o C

8.77

KW

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

1200

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

2400

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =1200A,V Generella =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

Jag C =1200A,V Generella =15V, T j =125 o C

2.25

Jag C =1200A,V Generella =15V, T j = 150 o C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =48.0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

1.0

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

145

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

3.51

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

11.3

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

V Generella =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j =25 o C

440

n

t r

Uppgångstid

112

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1200

n

t f

Hösttid

317

n

E på

Tänd Växling Förlust

271

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

295

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

V Generella =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j =125 o C

542

n

t r

Uppgångstid

153

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1657

n

t f

Hösttid

385

n

E på

Tänd Växling Förlust

513

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

347

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

V Generella =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j = 150 o C

547

n

t r

Uppgångstid

165

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1695

n

t f

Hösttid

407

n

E på

Tänd Växling Förlust

573

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

389

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

4800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F =1200A,V Generella =0V, T j =25℃

1.80

2.25

V

Jag F =1200A,V Generella =0V, T j =125℃

1.90

Jag F =1200A,V Generella =0V, T j =150℃

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V Generella =-9V, L S =65nH,T j =25℃

190

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

844

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

192

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V Generella =-9V, L S =65nH,T j =125℃

327

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

1094

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

263

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V Generella =-9V, L S =65nH,T j =150℃

368

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

1111

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

275

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

12

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.19

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

17.1 26.2

K/kW

R thCH

Housse -till -Värmesänkande (perIGBT )Högsta värmeeffekt (p) diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

Effektterminal Skruv:M4 Effektterminal Skruv:M8 Monteringsskruv:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M

G

Vikt av Modul

1050

g