GD100HHU120C6SD, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C@ T C=75o C

146

100

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

200

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =150o C

771

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

100

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

200

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=100A,V Generella =15V, T vj =25o C

3.00

3.45

V

IC=100A,V Generella =15V, T vj =125o C

3.80

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=4.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

4.5

5.5

6.5

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.0

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

6.50

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.42

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

1.10

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=100A, R G=9.1Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =48nH ,T vj =25o C

38

n

t r

Uppgångstid

50

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

330

n

t f

Hösttid

27

n

Epå

Tänd Växling Förlust

8.92

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

2.06

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=100A, R G=9.1Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =48nH ,T vj =125o C

37

n

t r

Uppgångstid

50

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

362

n

t f

Hösttid

43

n

Epå

Tänd Växling Förlust

10.7

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

3.69

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =125o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

650

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =100A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V Generella =-15V Lärare =48nH ,T vj =25o C

11.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

101

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

4.08

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V Generella =-15V Lärare =48nH ,T vj =125o C

19.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

120

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

7.47

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T vj =100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

21

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

2.60

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.162 0.401

K/W

R thCH

Fall -till -Sänk (perIGBT )

Kapsling till kylare (per diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.051 0.125 0.009

K/W

M

Monteringsmoment Skruv M6

3.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g