GD100HHU120C6SD, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C =75 o C

146

100

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T vj = 150 o C

771

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

100

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

200

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =100A,V Generella =15V, T vj =25 o C

3.00

3.45

V

Jag C =100A,V Generella =15V, T vj =125 o C

3.80

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =4,0 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C

4.5

5.5

6.5

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.0

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

6.50

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.42

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

1.10

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V Generella =± 15 V, Lärare = 48 nH ,T vj =25 o C

38

n

t r

Uppgångstid

50

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

330

n

t f

Hösttid

27

n

E på

Tänd Växling Förlust

8.92

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

2.06

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V Generella =± 15 V, Lärare = 48 nH ,T vj =125 o C

37

n

t r

Uppgångstid

50

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

362

n

t f

Hösttid

43

n

E på

Tänd Växling Förlust

10.7

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

3.69

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T vj =125 o C ,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

650

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F =100A,V Generella =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Jag F =100A,V Generella =0V,T vj =125 o C

1.90

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V Generella =-15V Lärare = 48 nH ,T vj =25 o C

11.5

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

101

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

4.08

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V Generella =-15V Lärare = 48 nH ,T vj =125 o C

19.0

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

120

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

7.47

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T vj =100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

21

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

2.60

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.162 0.401

K/W

R thCH

Housse -till -Sänk (perIGBT )

Kapsling till kylare (per diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.051 0.125 0.009

K/W

M

Monteringsmoment Skruv M6

3.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g