GD100HFX170C1S, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

173

112

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

200

A

PD

Maximal Ström Dissipation @ T vj =175o C

666

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

100

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

200

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=100A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V Generella =15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=4.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

7.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

12.0

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.29

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

0.94

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=100A, R G= 4,7Ω,V Generella =± 15 V, Ls=60nH,

T vj =25o C

272

n

t r

Uppgångstid

55

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

369

n

t f

Hösttid

389

n

Epå

Tänd Växling Förlust

28.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

16.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=100A, R G= 4,7Ω,V Generella =± 15 V, Ls=60nH,

T vj =125o C

296

n

t r

Uppgångstid

66

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

448

n

t f

Hösttid

576

n

Epå

Tänd Växling Förlust

40.1

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

24.1

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=100A, R G= 4,7Ω,V Generella =± 15 V, Ls=60nH,

T vj =150o C

302

n

t r

Uppgångstid

69

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

463

n

t f

Hösttid

607

n

Epå

Tänd Växling Förlust

43.9

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

25.7

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =100A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V Generella =-15V Ls=60nH,

T vj =25o C

23.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

85

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

11.5

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V Generella =-15V Ls=60nH,

T vj =125o C

36.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

88

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

18.1

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V Generella =-15V Ls=60nH,

T vj =150o C

46.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

91

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

24.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

30

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.65

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.225 0.391

K/W

R thCH

Fall -till -Värmesänkande (perIGBT )Högsta värmeeffekt (p) diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.158 0.274 0.050

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

150

g