YMIBD800-17, Moduli IGBT, IGBT me dy ndërrues, CRRC

(Simboli)

(Parametri)

(Kushtet e Testit)

(vlera)

(Njësia)

VCES

Tensioni kolektor-emitor

V GE = 0V, TC= 25 。C

1700

V

V GES

Tensioni i portës-emitësit

TC= 25 。C

± 20

V

I C

Rryma kolektor-emitor

TC = 80 。C

800

A

I C(PK)

Rryma maksimale e kolektorit

t P=1ms

1600

A

P max

Max. humbja e energjisë së transistorit

Tvj = 150 。C, TC = 25 。C

6.94

kW

I 2t

Diode I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125 。C

120

kA2s

Visol

Tensioni i izolimit – për modul

(Terminalet e zakonshme në pllakën bazë),

AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 。C

4000

V

Q PD

Shkarkimi i pjesshëm – për modul

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C

10

pC

(Ndryshe )

(Parametri )

(Kushtet e Testit)

(Min )

(Simbol )

(Maks )

(Njësia )

I CES

CES

V GE = 0V,VCE = VCES

1

= 0V,

V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C

25

= 0V,

I GES

Rryma e derdhjes së portës

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

= 0V

V GE (TH)

(TH)

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

V

VCE (sat)(*1)

Tensioni i ngopjes kolektor-emetues

V GE =15V, I C = 800A

2.30

2.60

V

V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

V

I F

°C

直流 DC

800

A

I FRM

Rryma maksimale përpara e diodës

t P = 1ms

1600

A

VF(*1)

1ms

I F = 800A

1.70

2.00

V

I F = 800A, Tvj = 125 ° C

1.80

2.10

V

C ies

Ies

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

mHz

Q g

NF

ngarkesa e portës

9

±15V

C res

Kapaciteti i transferit të kundërt

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

-

mHz

L M

Induktiviteti i modulit

20

nH

R INT

Rezistenca e transistorit të brendshëm

270

μΩ

I SC

Aktual i shkurtër, ISC

Tvj = 125° C, VCC = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(maks) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

A

td(off)

Koha e vonesës së fikjes

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

ns

t f

Koha e rënies

220

ns

E OFF

Humbja e energjisë gjatë fikjes

220

mJ

td(on)

Koha e vonesës së ndezjes

320

ns

t r

Koha e ngritjes

190

ns

EON

Humbja e energjisë gjatë ndezjes

160

mJ

Q rr

Ngarkesa e rikuperimit të kundërt të diodës

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

±15V

I rr

Rryma e rikuperimit të kundërt të diodës

510

A

E rec

Energjia e rikuperimit të kundërt të diodës

180

mJ

td(off)

Koha e vonesës së fikjes

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

ns

t f

Koha e rënies

280

ns

E OFF

Humbja e energjisë gjatë fikjes

290

mJ

td(on)

Koha e vonesës së ndezjes

400

ns

t r

Koha e ngritjes

250

ns

EON

Humbja e energjisë gjatë ndezjes

230

mJ

Q rr

Ngarkesa e rikuperimit të kundërt të diodës

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

±15V

I rr

Rryma e rikuperimit të kundërt të diodës

580

A

E rec

Energjia e rikuperimit të kundërt të diodës

280

mJ