MK(H)x75 MK75 ,Module të Thyristorëve me Shkëputje të Shpejtë, Ftohje me Ajër | Module të Thyristorëve me Shkëputje të Shpejtë |

Hyrje

Përshkrim i shkurtër

Module thyristor me fikje të shpejtë ,MK(H) x200 MK200, 200A, Ftohja e ajrit ,prodhuar nga TECHSEM.

VRRM,VDRM	Lloji & Skica
600V	MKx75-06-216F3B	MHx75-06-216F3B
800V	MKx75-08-216F3B	MHx75-08-216F3B
1000V	MKx75-10-216F3B	MHx75-10-216F3B
1200V	MKx75-12-216F3B	MHx75-12-216F3B
1400V	MKx75-14-216F3B	MHx75-14-216F3B
1600V	MKx75-16-216F3B	MHx75-16-216F3B
1800V	MKx75-18-216F3B	MHx75-18-216F3B
1800V	MK75-18-216F3BG

MKx përfaqëson çdo lloj të MKC, MKA, MKK

Veprime të Rralla ：

Vendndodhja e izoluar bas 2500V
Teknologjia e kontaktit të presionit me Rritur aftësia e ciklimit të fuqisë
Hapësira dhe pesha sa vëzhgimi

Aplikimet Tipike ：

Invertor
Ngrohje induktive
Chopper

Ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj( 。C)	Vlera			Njësia
Ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj( 。C)	Min	Lloji	Maks	Njësia
IT(AV)	Rryma mesatare në gjendjen aktive	180。gjysmë vale sinusoidale 50Hz e ftohur nga një anë, Tc=85 。C	125			75	A
IT(RMS)	Rryma e qëndrueshme RMS		125			118	A
Irrm Irrm	Rryma pikore përsëritëse	në VDRM në VRRM	125			30	= 0V,
Unë _TSM	Rryma e goditjes në gjendjen aktive	10ms gjysmë vale sinusoidale VR=60%VRRM	125			1.6	kA
Unë ²t	I2t për koordinimin e fundosjes	10ms gjysmë vale sinusoidale VR=60%VRRM	125			13	10³A ²s
V _Për	Tensioni i Pragut		125			1.50	V
rT	Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive		125			4.00	mΩ
V _TM	Tensioni maksimal në gjendjen aktive	ITM=225A	25			2.53	V
dv/dt	Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive	Burimi i portës 1.5A tr ≤0.5μs Përsëritëse	125			200	A/μs
tq	Koha e fikjes së komutuar nga qarku	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
tq	Koha e fikjes së komutuar nga qarku	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
Unë _GT	Rryma e aktivizimit të portës	VA= 12V, IA= 1A	25	30		150	= 0V,
V _GT	Tensioni i aktivizimit të portës			0.8		2.5	V
Unë _H	Rryma mbajtëse			20		200	= 0V,
IL	Rryma e ngjitjes					1000	= 0V,
V _GD	Tensioni i portës jo-aktivizues	VDM= 67% VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Rezistenca termike nga lidhja në rast	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.20	℃ /W
Rth(c-h)	Rezistenca termike rast në radiator	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.04	℃ /W
VISO	Tensioni i izolimit	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
FM	Torku i lidhjes së terminaleve (M6)			4.5		6.0	N·m
FM	Torku i montimit (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	Temperatura e lidhjes			-40		125	℃
TSTG	Temperatura e ruajtur			-40		125	℃
Wt	Pesha				320		g
Skica	216F3B