MTx800 MFx800 MT800, Thyristor/Diode Modules, Ftohtje me ujë.

Hyrje

Përshkrim i shkurtër

Thyristor/Diode Module e, MTx1000 MFx1000 MT1000 ，1000A ,Ftohtësi me ujë ，prodhuar nga TECHSEM.

VRRM,VDRM

Lloji & Skica

2000V

2200V

2500V

MTx800-20-411F3

MT2Methodë për të bërë një lidhje

MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 -

MFx800-20-411F3

MFx800-22-411F3

MFx800-25-411F3

MTx do të thotë çdo lloj MTC, MTA, MTK

MFx do të thotë çdo lloj MFC, MFA, MFK

Veprime të Rralla

Baza e montimit të izoluar 3000V~
Teknologjia e kontaktit të presionit me
Kapacitet të rritur të ciklit të energjisë
Kursim hapësire dhe peshe

Aplikimet Tipike

Motorët e lëvizjes AC/DC
Rektifikatorë të ndryshëm
Furnizim i vazhdueshëm për inverti PWM

Ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj( ℃ )	Vlera			Njësia
Ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj( ℃ )	Min	Lloji	Maks	Njësia
IT(AV)	Rryma mesatare në gjendjen aktive	180° gjysmë vale sinusoidale 50Hz Një anë e ftohur, THS=55 ℃	125			800	A
IT(RMS)	Rryma e qëndrueshme RMS		125			1256	A
Irrm Irrm	Rryma pikore përsëritëse	në VDRM në VRRM	125			50	= 0V,
ITSM	Rryma e goditjes në gjendjen aktive	VR=60%VRRM, t=10ms gjysmë sinus	125			16.0	kA
I2t	I2t për koordinimin e fundosjes	VR=60%VRRM, t=10ms gjysmë sinus	125			1280	10³A ²s
VTO	Tensioni i Pragut		125			0.98	V
rT	Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive		125			0.35	mΩ
VTM	Tensioni maksimal në gjendjen aktive	ITM=2400A	25			2.35	V
dv/dt	Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive	Burimi i portës 1.5A tr ≤0.5μs Përsëritëse	125			200	A/μs
IGT	Rryma e aktivizimit të portës	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	= 0V,
Vgt	Tensioni i aktivizimit të portës			0.8		3.0	V
IH	Rryma mbajtëse			10		200	= 0V,
IL	Rryma e ngjitjes					1000	= 0V,
VGD	Tensioni i portës jo-aktivizues	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Rezistenca termike nga lidhja në rast	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.050	℃ /W
Rth(c-h)	Rezistenca termike rast në radiator	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.024	℃ /W
VISO	Tensioni i izolimit	50Hz,R.M.S, t=1min, Iso:1mA ((MAX))		3000			V
FM	Parkthi i lidhjes së terminalit ((M12)			12		16	N·m
FM	Parcela e montimit (M8)			10		12	N·m
Tvj	Temperatura e lidhjes			-40		125	℃
TSTG	Temperatura e ruajtur			-40		125	℃
Wt	Pesha				3230		g
Skica	411F3