MZx75, Moduli i Diodeve me Rikuperim të Shpejtë, TECHSEM

600V~1800V,415F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MZx75

Appurtenance:

Broshurë Produkti: SHKARKO

Përshkrim i shkurtër

Moduli i Diodës së Shpejtë të Rikuperimit , MZx75 ,MZ75 ,Ftohje me Ajër ,prodhuar nga TECHSEM.

VRRM

Lloji & Skica

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MZx75-06-216F3

MZx75-08-216F3

MZx75-10-216F3

MZx75-12-216F3

MZx75-14-216F3

MZx75-16-216F3

MZx75-18-216F3

MZ75-18-216F3G

MZx do të thotë çdo lloj të MZC, MZA, MZK

Veprime të Rralla ：

Baza e montimit të izoluar 3000V~
Teknologjia e kontaktit të presionit me Kapacitet të rritur të ciklit të energjisë
Kursim hapësire dhe peshe

Aplikimet Tipike ：

Ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj( ℃ )	Vlera			Njësia
Ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj( ℃ )	Min	Lloji	Maks	Njësia
IF(AV)	Rryma mesatare përpara	180° gjysmë vale sinusoidale 50Hz Rrafshërim një anë, TC=85 ℃	140			75	A
IF(RMS)	Rryma përpara RMS		140			118	A
IRRM	Rryma pikore përsëritëse	në VRRM	140			20	= 0V,
IFSM	Rryma e përparme e goditjes	10ms gjysmë vale sinusoidale VR=0.6VRRM	140			2.0	kA
I2t	I2t për koordinimin e fundosjes	10ms gjysmë vale sinusoidale VR=0.6VRRM	140			20	10³A ²s
VFO	Tensioni i Pragut		140			1.10	V
rF	Rezistenca e pjerrësisë përpara		140			3.00	m
VFM	Tensioni pikor përpara	IFM=225A	25			2.00	V
trr	Koha e Rikuperimit të Prapambetjes	IFM=200A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V	140		3.0		μs
trr	Koha e Rikuperimit të Prapambetjes	IFM=200A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V	25		2.0		μs
Rth(j-c)	Rezistenca termike nga lidhja në rast	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.310	℃ /W
Rth(c-h)	Rezistenca termike rast në radiator	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.080	℃ /W
FM	Torku i lidhjes së terminaleve (M6)			4.5		6.0	N·m
FM	Torku i montimit (M6)			4.5		6.0	N·m
VISO	Tensioni i izolimit	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V
Tvj	Temperatura e lidhjes			-40		140	℃
TSTG	Temperatura e ruajtur			-40		125	℃
Wt	Pesha				320		g
Skica	216F3