Module thyristor me fikje të shpejtë

MK(H)x300 MK300, Modul Thyristor të shpejtë për çormim, Rajtje me Aër

300A,600V~1800V,415F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H)x300 MK300

Appurtenance:

Broshurë Produkti: SHKARKO

Hyrje
Skica
Skema e Qarkut Ekivalent

Hyrje

Përshkrim i shkurtër

Module thyristor me fikje të shpejtë ,MK(H)x 300 MK 300,3 00A .Ajër ftohje, prodhuar nga TECHSEM .

VRRM,VDRM	Lloji & Skica
600V	MKx300-06-415F3	MHx300-06-415F3
800V	MKx300-08-415F3	MHx300-08-415F3
1000V	MKx300-10-415F3	MHx300-10-415F3
1200V	MKx300-12-415F3	MHx300-12-415F3
1400V	MKx300-14-415F3	MHx300-14-415F3
1600V	MKx300-16-415F3	MHx300-16-415F3
1800V	MKx300-18-415F3	MHx300-18-415F3
1800V	MK300-18-415F3G

MKx përfaqëson çdo lloj të MKC, MKA, MKK

MHx përfaqëson çdo lloj të MHC, MHA, MHK

Veprime të Rralla ：

Baza e montimit të izoluar 2500V~
Teknologjia e kontaktit të presionit me Kapacitet të rritur të ciklit të energjisë
Kursim hapësire dhe peshe

Aplikimet Tipike

Invertor
Ngrohje induktive
Chopper

Ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës		Tj( ℃ )	Vlera			Njësia
Ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës		Tj( ℃ )	Min	Lloji	Maks	Njësia
IT(AV)	Rryma mesatare në gjendjen aktive	180° gjysmë vale sinusoidale 50Hz e ftohur nga një anë,	TC=85 。C	125			300	A
IT(RMS)	Rryma e qëndrueshme RMS	180° gjysmë vale sinusoidale 50Hz e ftohur nga një anë,	TC=85 。C	125			471	A
Irrm Irrm	Rryma pikore përsëritëse	në VDRM në VRRM		125			80	= 0V,
ITSM	Rryma e goditjes në gjendjen aktive	10ms gjysmë vale sinusoidale VR=60%VRRM		125			7.30	kA
I2t	I2t për koordinimin e fundosjes	10ms gjysmë vale sinusoidale VR=60%VRRM		125			266	10³A ²s
VTO	Tensioni i Pragut			125			1.36	V
rT	Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive			125			0.38	mΩ
VTM	Tensioni maksimal në gjendjen aktive	ITM=900A		25			2.20	V
dv/dt	Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit	VDM=67%VDRM		125			800	V/μs
di/dt	Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive	Burimi i portës 1.5A tr ≤0.5μs Përsëritëse		125			200	A/μs
tq	Koha e fikjes së komutuar nga qarku	ITM=300A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs		125	20		40	µs
IGT	Rryma e aktivizimit të portës	VA= 12V, IA= 1A		25	30		200	= 0V,
Vgt	Tensioni i aktivizimit të portës				1.0		3.0	V
IH	Rryma mbajtëse				20		200	= 0V,
IL	Rryma e ngjitjes						1000	= 0V,
VGD	Tensioni i portës jo-aktivizues	VDM= 67% VDRM		125			0.2	V
Rth(j-c)	Rezistenca termike nga lidhja në rast	E ftohur nga një anë për çdo çip					0.080	℃ /W
Rth(c-h)	Rezistenca termike rast në radiator	E ftohur nga një anë për çdo çip					0.040	℃ /W
VISO	Tensioni i izolimit	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)			2500			V
FM	Torku i lidhjes së terminaleve (M10)				10.0		12.0	N·m
FM	Torku i montimit (M6)				4.5		6.0	N·m
Tvj	Temperatura e lidhjes				-40		125	℃
TSTG	Temperatura e ruajtur				-40		125	℃
Wt	Pesha					1260		g
Skica	415F3