TG1800HF17H1-S500,Modul IGBT,Puente gjysëm IGBT,CRRC

符号 Ndryshe

参数名称 Parametri

条件 test

Kushtet e provës

numri i vlerës Vlera

单位 Njësia

V Tip

集电极 -tensioni i emetimit

Tensioni kolektor-emitor

V Rryma e prerjes së kolektorit gE T C = 25 vj

1700

V

V =150 °C

grila -tensioni i emetimit

Tensioni i portës-emitësit

T C = 25 vj

± 20

V

Unë C

集电极电流

Rryma kolektor-emitor

T C = 85 °C, T = 500A, maks = 175°C

1800

A

Unë C(PK)

rryma e kulmit të kolektorit

Rryma maksimale e kolektorit

t P =1ms

3600

A

P maks

humbja maksimale e transistorit

Max. humbja e energjisë së transistorit

T = 500A, = 175°C, T C = 25 vj

9.38

kW

Unë 2t

2 tub Unë 2t 值 Diodë Unë 2t

V R =0V, t P = 10ms, T = 500A, = 175 vj

551

kA 2s

V isoli

绝缘电压 (模块 )

Izolim tensioni - per moduli

短接 të gjitha terminalët, terminalët dhe bazët e tensionit ( Terminal i lidhur s deri plaka bazë), AC RMS,1 min, 50Hz, T C = 25 vj

4000

V

参数 Ndryshe

larg

Shpjegim

值 Vlera

单位 Njësia

distanca e ngjitjes

Distanca e kalimit

krye -rrafshues

Krye për heatsink

36.0

mm

krye -krye

Terminal në Terminal

28.0

mm

hapësira e izolimit Klarenca

krye -rrafshues

Krye për heatsink

21.0

mm

krye -krye

Terminal në Terminal

19.0

mm

indeks i largimit të ndjeshmërisë relative

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 Ndryshe

参数名称 Parametri

条件 test

Kushtet e provës

最小值 Min.

典型值 - Në rregull.

maksimal Max. - Çfarë?

单位 Njësia

R th(j-c) IGBT

IGBT rezistenca termike e lidhjes

Termike ndikim – IGBT

16

K \/ kW

R th(j-c) Diodë

rezistenca termike e nyjës së diodës

Termike ndikim – Diodë

33

K \/ kW

R th(c-h) IGBT

rezistenca termike e kontaktit (IGBT)

Termike ndikim –

rrethi për kryezar (IGBT)

moment i instalimit 5Nm, yndyrë për transferim nxehtësie 1W/m·K Momenti i montimit 5Nm,

me montimi vaji 1W/m·K

14

K \/ kW

R th(c-h) Diodë

rezistenca termike e kontaktit (Diodë)

Termike ndikim –

rrethi për kryezar (Diodë)

moment i instalimit 5Nm, yndyrë për transferim nxehtësie 1W/m·K Momenti i montimit 5Nm,

me montimi vaji 1W/m·K

17

K \/ kW

T vjop

temperatura e punës së lidhjes

Lidhje operative temperatura

IGBT çip ( IGBT )

-40

150

vj

çip diodë ( Diodë )

-40

150

vj

T sTG

temperatura e ruajtjes

Varg temperatura e ruajtjes

-40

150

vj

M

moment i instalimit

Momenti i vidave

për ngjeshjen e instalimit – M5 Montimi – M5

3

6

Nm

për ndërfaqen e qarkut – M4

Lidhjet elektrike – M4

1.8

2.1

Nm

për ndërfaqen e qarkut – M8

Lidhjet elektrike – M8

8

10

Nm

符号 Ndryshe

参数名称 Parametri

条件 test

Kushtet e provës

最小值 Min.

典型值 - Në rregull.

maksimal Max. - Çfarë?

单位 Njësia

R th(j-c) IGBT

IGBT rezistenca termike e lidhjes

Termike ndikim – IGBT

16

K \/ kW

R th(j-c) Diodë

rezistenca termike e nyjës së diodës

Termike ndikim – Diodë

33

K \/ kW

R th(c-h) IGBT

rezistenca termike e kontaktit (IGBT)

Termike ndikim –

rrethi për kryezar (IGBT)

moment i instalimit 5Nm, yndyrë për transferim nxehtësie 1W/m·K Momenti i montimit 5Nm,

me montimi vaji 1W/m·K

14

K \/ kW

R th(c-h) Diodë

rezistenca termike e kontaktit (Diodë)

Termike ndikim –

rrethi për kryezar (Diodë)

moment i instalimit 5Nm, yndyrë për transferim nxehtësie 1W/m·K Momenti i montimit 5Nm,

me montimi vaji 1W/m·K

17

K \/ kW

T vjop

temperatura e punës së lidhjes

Lidhje operative temperatura

IGBT çip ( IGBT )

-40

150

vj

çip diodë ( Diodë )

-40

150

vj

T sTG

temperatura e ruajtjes

Varg temperatura e ruajtjes

-40

150

vj

M

moment i instalimit

Momenti i vidave

për ngjeshjen e instalimit – M5 Montimi – M5

3

6

Nm

për ndërfaqen e qarkut – M4

Lidhjet elektrike – M4

1.8

2.1

Nm

për ndërfaqen e qarkut – M8

Lidhjet elektrike – M8

8

10

Nm

符号 Ndryshe

参数名称 Parametri

条件 test

Kushtet e provës

最小值 Min.

典型值 - Në rregull.

maksimal Max. - Çfarë?

单位 Njësia

R 25

vlera e ndjeshme e rezistencës

Vlera rezistencë

T C = 25 vj

5

kΩ

△R /R

R100 larg

Larg R100

T C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P 25

forca e shpërndarjes

Shpërndarja e energjisë

T C = 25 vj

20

mW

B 25/50

B- 值

Vlera B

R 2 = R 25exp [B 25/50(1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

B- 值

Vlera B

R 2 = R 25exp [B 25/80(1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

B- 值

Vlera B

R 2 = R 25exp [B 25/100(1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 Ndryshe

参数名称 Parametri

条件

Kushtet e provës

最小值 Min.

典型值 - Në rregull.

maksimal Max. - Çfarë?

单位 Njësia

Unë Tip

集电极截止电流

CES

V Rryma e prerjes së kolektorit gE V CE = V Tip

1

= 0V,

V Rryma e prerjes së kolektorit gE V CE = V Tip , T = 500A, =125 °C

40

= 0V,

V Rryma e prerjes së kolektorit gE V CE = V Tip , T = 500A, =175 °C

60

= 0V,

Unë =150 °C

栅极漏电流

Porta corri iksilues

V Rryma e prerjes së kolektorit shkarkimi i portës V CE = 0V

0.5

= 0V

V Rryma e prerjes së kolektorit μA

grila -tensioni i pragut të emetuesit (TH)

Unë C = 60mA, V Rryma e prerjes së kolektorit = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (sat) (*1)

集电极 -tensioni i ngopjes së emetuesit

(*1)

tensioni

V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter Unë C = 1800A

1.70

V

V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter Unë C = 1800A, T = 500A, = 150 vj

2.10

V

V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter Unë C = 1800A, T = 500A, = 175 vj

2.15

V

Unë F

rryma e drejtpërdrejtë për diodën °C

DC

1800

A

Unë Rryma përpara e diodës

rryma e përsëritur e pikës së përparme të diodës Diodë struja eparimi maksimale nt

t P = dioda maksimumi përpara

3600

A

V F (*1)

tensioni përparës i diodës

1ms

Unë F = 1800A, V Rryma e prerjes së kolektorit = 0

1.60

V

Unë F = 1800A, V Rryma e prerjes së kolektorit = 0, T = 500A, = 125 °C

1.75

V

Unë F = 1800A, V Rryma e prerjes së kolektorit = 0, T = 500A, = 175 °C

1.75

V

Unë SC

rryma e shkurtër

Shkurtim i rreshtit aktual

T = 500A, = 175°C, V CC = 1000V, V Rryma e prerjes së kolektorit ≤15V, t p ≤10μs,

V CE(max) = V Tip – L (*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C 150 °C

kapaciteti i hyrjes

Ies

V CE kapaciteti i hyrjes V Rryma e prerjes së kolektorit gE f = 100kHz

542

mHz

Q g

ngarkesa e grilës

NF

ngarkesa e portës

23.6

±15V

C μC

kapaciteti i transmetimit të kundërt

Kapaciteti i transferit të kundërt

V CE kapaciteti i hyrjes V Rryma e prerjes së kolektorit gE f = 100kHz

0.28

mHz

L sCE

modul induktiviteti shkëmbor

Modul shkëmbor induktancë nce

8.4

nH

R CC ’+EE ’

rezistencë kablash të modulit, terminali -çip M odule lead rezistenca, terminal-chip

për çdo larg

për switch

0.20

mΩ

R Gint

rezistencë e brendshme të portit

Porta e Brendshme rezistor

1

oh

符号 Ndryshe

参数名称 Parametri

条件 test

Kushtet e provës

最小值 Min.

典型值 - Në rregull.

maksimal Max. - Çfarë?

单位 Njësia

t d(off)

koha e vonesës së fikjes

Koha e vonesës së fikjes

Unë C =1800A,

V CE = 900V,

V Rryma e prerjes së kolektorit = ±15V, R G(OFF) = 0.5Ω, L S = 25nH,

d v ⁄dt =3800V⁄μs (T = 500A, = 150 °C).

T = 500A, = 25 vj

1000

ns

T = 500A, = 150 vj

1200

T = 500A, = 175 vj

1250

t f

koha e rënies Koha e rënies

T = 500A, = 25 vj

245

ns

T = 500A, = 150 vj

420

T = 500A, = 175 vj

485

E Të mbyllur

humbja e fikjes

Humbja e energjisë gjatë fikjes

T = 500A, = 25 vj

425

mJ

T = 500A, = 150 vj

600

T = 500A, = 175 vj

615

t d ((on)

koha e vonesës së aktivizimit

Koha e vonesës së ndezjes

Unë C =1800A,

V CE = 900V,

V Rryma e prerjes së kolektorit = ±15V, R G ((ON) = 0.5Ω, L S = 25nH,

d unë ⁄dt = 8500A⁄μs (T = 500A, = 150 °C).

T = 500A, = 25 vj

985

ns

T = 500A, = 150 vj

1065

T = 500A, = 175 vj

1070

t r

koha e ngritjes Koha e ngritjes

T = 500A, = 25 vj

135

ns

T = 500A, = 150 vj

205

T = 500A, = 175 vj

210

E Në

humbja e hapjes

Energjia e ndezjes humbje

T = 500A, = 25 vj

405

mJ

T = 500A, = 150 vj

790

T = 500A, = 175 vj

800

Q rr

ngarkesa e rikthimit të diodës Diodë kthim

ngarkesa e Rikuperimit

Unë F =1800A, V CE = 900V,

- D unë F /dt = 8500A⁄μs (T = 500A, = 150 °C).

T = 500A, = 25 vj

420

±15V

T = 500A, = 150 vj

695

T = 500A, = 175 vj

710

Unë rr

rryma e rikthimit të diodës Diodë kthim

aktualisht rimëkëmbje

T = 500A, = 25 vj

1330

A

T = 500A, = 150 vj

1120

T = 500A, = 175 vj

1100

E rec

humbja e rikthimit të diodës Diodë kthim

energia e rikuperimit

T = 500A, = 25 vj

265

mJ

T = 500A, = 150 vj

400

T = 500A, = 175 vj

420