MFC70, Moduli i drejtuesit të saldimit me thyristor, Ftohje me ajër

VDSM, VRSM

VDRM, VRRM

Lloji & Skica

900V

800V

MFC70-08-224H3

1100V

1000V

MFC70-10-224H3

1300V

1200V

MFC70-12-224H3

1500V

1400V

MFC70-14-224H3

1700V

1600V

MFC70-16-224H3

1900V

1800V

MFC70-18-224H3

Ndryshe

Karakteristikë

Kushtet e provës

Tj( ℃ )

Vlera

Njësia

Min

Lloji

Maks

IT(AV)

Rryma mesatare në gjendjen aktive

180° gjysmë vale sinusoidale 50Hz

Ftohje nga një anë, Tc =85 ℃

125

70

A

IT(RMS)

Rryma e qëndrueshme RMS

125

110

A

Irrm Irrm

Rryma pikore përsëritëse

në VDRM në VRRM

125

15

= 0V,

ITSM

Rryma e goditjes në gjendjen aktive

10ms gjysmë vale sinusoidale VR=60%VRRM

125

1.8

kA

I2t

I2t për koordinimin e fundosjes

16.2

A ²s* 10 ³

VTO

Tensioni i Pragut

125

0.75

V

rT

Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive

3.64

m oh

VTM

Tensioni maksimal në gjendjen aktive

ITM=210A

25

1.80

V

dv/dt

Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit

VDM=67%VDRM

125

1000

V/ μ s

di/dt

Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive

Burimi i portës 1.5A

tr ≤ 0.5μ s Ripetitive

125

200

A/ μ s

IGT

Rryma e aktivizimit të portës

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

= 0V,

Vgt

Tensioni i aktivizimit të portës

0.6

2.5

V

IH

Rryma mbajtëse

10

250

= 0V,

VGD

Tensioni i portës jo-aktivizues

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Rezistenca termike nga lidhja në rast

E ftohur nga një anë për çdo çip

0.35

℃ /W

Rth(c-h)

Rezistenca termike rast në radiator

E ftohur nga një anë për çdo çip

0.15

℃ /W

VISO

Tensioni i izolimit

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Moment lidhës termik (M5)

2.5

4.0

N ·m

Torku i montimit (M6)

4.0

6.0

N ·m

Tvj

Temperatura e lidhjes

-40

125

℃

TSTG

Temperatura e ruajtur

-40

125

℃

Wt

Pesha

100

g

Skica

224H3