MFC55, Moduli i drejtuesit të saldimit Thyristor, Ftohje me ajër

VRRM,VDRM

Lloji & Skica

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MFC55-08-224H3

MFC55-10-224H3

MFC55-12-224H3

MFC55-14-224H3

MFC55-16-224H3

MFC55-18-224H3

Ndryshe

Karakteristikë

Kushtet e provës

Tj( ℃)

Vlera

Njësia

Min

Lloji

Maks

IT(AV)

Rryma mesatare në gjendjen aktive

180°gjysmë vale sinusoidale 50Hz

Rrafshërim një anë, TC=85 ℃

125

55

A

IT(RMS)

Rryma e qëndrueshme RMS

86

A

Irrm Irrm

Rryma pikore përsëritëse

në VDRM në VRRM

125

15

= 0V,

ITSM

Rryma e goditjes në gjendjen aktive

VR=60%VRRM,,t= 10ms gjysmë sinus,

125

1.7

kA

I2t

I2t për koordinimin e fundosjes

125

14.5

103A2s

VTO

Tensioni i Pragut

125

0.75

V

rT

Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive

4.05

mΩ

VTM

Tensioni maksimal në gjendjen aktive

ITM= 170A

25

1.60

V

dv/dt

Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive

Burimi i portës 1.5A

tr ≤0.5μs Përsëritëse

125

200

A/μs

IGT

Rryma e aktivizimit të portës

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

= 0V,

Vgt

Tensioni i aktivizimit të portës

0.6

2.5

V

IH

Rryma mbajtëse

10

250

= 0V,

IL

Rryma e ngjitjes

1000

= 0V,

VGD

Tensioni i portës jo-aktivizues

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Rezistenca termike nga lidhja në rast

Në 1800 sinus. Rrafshërim një anë për çip

0.470

℃/W

Rth(c-h)

Rezistenca termike rast në radiator

Në 1800 sinus. Rrafshërim një anë për çip

0.150

℃/W

VISO

Tensioni i izolimit

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Torku i lidhjes së terminaleve (M5)

2.5

4.0

N·m

Torku i montimit (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Temperatura e lidhjes

-40

125

℃

TSTG

Temperatura e ruajtur

-40

125

℃

Wt

Pesha

100

g

Skica

224H3