MZ100,Moduli i Diodës së Shenime të Shpejtë,TECHSEM

VRRM

Lloji & Skica

600V

MZ100-06-210F2NA

MZ100-06-210F2NK

800V

MZ100-08-210F2NA

MZ100-08-210F2NK

1000V

MZ100-10-210F2NA

MZ100-10-210F2NK

1200V

MZ100-12-210F2NA

MZ100-12-210F2NK

1400V

MZ100-14-210F2NA

MZ100-14-210F2NK

1600V

MZ100-16-210F2NA

MZ100-16-210F2NK

1800V

MZ100-18-210F2NA

MZ100-18-210F2NK

Ndryshe

Karakteristikë

Kushtet e provës

Tj( ℃ )

Vlera

Njësia

Min

Lloji

Maks

IF(AV)

Rryma mesatare përpara

180° gjysmë vale sinusoidale 50Hz

E ftohur nga një anë,TC= 100 ℃

140

100

A

IF (RMS)

Rryma përpara RMS

157

A

IRRM

Rryma pikore përsëritëse

në VRRM

140

30

= 0V,

IFSM

Rryma e përparme e goditjes

10ms gjysmë vale sinusoidale VR=0.6VRRM

140

3.5

kA

I2t

I2t për koordinimin e fundosjes

61

A ²s* 10 ³

VFO

Tensioni i Pragut

140

1.05

V

rF

Rezistenca e pjerrësisë përpara

1.80

mΩ

VFM

Tensioni pikor përpara

IFM=300A

25

1.90

V

trr

Koha e Rikuperimit të Prapambetjes

IFM=200A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Rezistenca termike nga lidhja në rast

E ftohur nga një anë për çdo çip

0.200

℃ /W

Rth(c-h)

Rezistenca termike rast në radiator

E ftohur nga një anë për çdo çip

0.080

℃ /W

FM

Torku i lidhjes së terminaleve (M6)

6.0

N·m

Torku i montimit (M6)

6.0

N·m

Tvj

Temperatura e lidhjes

-40

140

℃

TSTG

Temperatura e ruajtur

-40

125

℃

Wt

Pesha

185

g

Skica

210F2