Серия SiC-транзисторов с изолированным затвором

Решения для силовых полупроводников нового поколения

Наша линейка SiC-транзисторов с изолированным затвором охватывает диапазон номинальных напряжений от 650 В до 3300 В , обеспечивая выдающуюся эффективность, высокую удельную мощность и превосходную надёжность для требовательных приложений преобразования электрической энергии.

Ключевые особенности

• Диапазон напряжения: 650 В – 3300 В

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и чрезвычайно низкие потери при переключении

• Высокая скорость переключения для работы на высоких частотах

• Максимальная температура перехода до 175°C

• Высокая удельная мощность и упрощённое тепловое управление

• Повышенная эффективность системы и снижение эксплуатационных расходов

Области применения

• Системы зарядки электромобилей

• Солнечные инверторы и системы накопления энергии (ESS)

• Промышленные электроприводы

• Источники бесперебойного питания (ИБП) и источники питания для центров обработки данных

• Железнодорожный транспорт и высокомощные преобразователи

• Умные электросети и системы возобновляемой энергетики

Почему следует выбрать карбид кремния (SiC)?

По сравнению с традиционными кремниевыми приборами MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния обеспечивают более высокий КПД, меньшие габариты системы, снижение требований к системе охлаждения и повышение надёжности , что позволяет создавать более компактные и энергоэффективные силовые электронные системы.

Обеспечиваем будущее высокоэффективного преобразования электроэнергии.
Диапазон напряжений: 650 В | 1200 В | 1700 В | 2000 В | 3300 В