Краткое введение: 
Высоковольтные одноключевые модули IGBT, произведенные CRRC. 4500В 650А. 
Особенности 
- 
SPT+чипсет для низких переключающих  потерь 
- 
Низкий  В CEsat 
- 
Низкое управление  мощность   
- 
A пластина на основе lSiC для высокой  мощность    c циклической  способности y   
- 
Подложка AlN для низкого теплового  сопротивление 
Типовой применение 
- Тяговые приводы 
- DC чоппер 
- Высоковольтные инверторы/преобразователи 
 
Максимальные номинальные значения 
| Параметр/参数  | Символ/符号  | Условия/条件  | мин  | макс  | Единица    | 
| Напряжение коллектор-эмиттер  集电极 -发射极电压  | В CES  | В GE  =0V,T vj  ≥25°C  |   | 4500 | В  | 
| Коллектор постоянного тока  ток  集电极电流 (включая электрический ток)  | Я   C  | Т   C  =80°C  |   | 650 | A  | 
| Пиковое коллекторное  ток  集电极峰值电流 (сводный электрический ток)  | Я   CM  | tp=1ms,Tc=80°C  |   | 1300 | A  | 
| Напряжение затвор-эмиттер  栅极发射极电压  | В ГЭС  |   | -20 | 20 | В  | 
| Total  диссипация мощности  общая мощность потерь  | P - Да.  | Т   C  =25°C,переключение(IGBT)  |   | 6670 | В  | 
| Прямой ток  прямой ток  | Я   К  |   |   | 650 | A  | 
| Пиковый переходный ток  пиковый прямой ток  | Я   ФРМ  | tP=1ms  |   | 1300 | A  | 
| Импульс  ток  浪涌电流 (Восходящий электрический поток)  | Я   ФСМ  | В R  =0V,T vj  =125°C,tp=10ms,  полусинусоидальная волна  |   | 5300 | A  | 
| Короткое замыкание IGBT  цЕПЬ  SOA  IGBT зона безопасной работы при коротком замыкании  |   т   псц  |   В CC  =3400V,V CEMCHIP ≤ 4500 В  В GE  ≤15V,Tvj≤125°C  |   |   10 |   μ с  | 
| Изоляционное напряжение  绝缘电压  | В изолированный  | 1min, f=50Hz  |   | 10200 | В  | 
| Температура соединения  结温  | Т   vj  |   |   | 150 | ℃  | 
| Температура работы соединения erature   рабочий период  | Т   vj(op)  |   | -50 | 125 | ℃  | 
| Температура корпуса  温  | Т   C  |   | -50 | 125 | ℃  | 
| Температура хранения                                                                                   | Т   сТГ  |   | -50 | 125 | ℃  | 
| Монументы установки  √ √ √ √ √ √ √  | М   С  |   | 4 | 6 |   Нм    | 
| М   Т   1 |   | 8 | 10 | 
| М   Т   2 |   | 2 | 3 | 
 
Значения характеристик IGBT 
| Параметр/参数  | Символ/符号  | Условия/条件  | Мин  | тИП  | макс  | Единица    | 
| Коллектор  (- эмиттер)  пробой  напряжение    集电极 -发射极阻断电压  |   В (BR)CES  | В GE  =0V,IC=10mA,  Tvj=25°C  |   4500 |   |   |   В  | 
| Насыщение коллектор-эмиттер  напряжение    集电极 -发射极饱和电压  |   В CEsat  | Я   C  =650A,  В GE  =15В  | Tvj=  25°C  |   | 2.7 | 3.2 | В  | 
| Tvj=125°C  |   | 3.4 | 3.8 | В  | 
| Отключение коллектора  ток  集电极截止电流 (объединение электрического потока)  | Я   CES  | В СЕ    =4500В,  В GE  =0В  | Tvj=  25°C  |   |   | 10 | mA  | 
| Tvj=125°C  |   |   | 100 | mA  | 
| Врата  ток утечки  极漏电流 (очень пропускной)  | Я   ГЭС  | В СЕ    =0V,V GE  =20V,  Т   vj  =125°C  | -500 |   | 500 | нД  | 
| Пороговое напряжение выпускателя  栅极发射极阀值电压  | В ГЭ ((th)  | Я   C  =160mA,V СЕ    =V GE , Т   vj  =25°C  | 4.5 |   | 6.5 | В  | 
| Врата  заряд    极电荷  | Q g    | Я   C  =650A,V СЕ    = 2800В,  В GE  = 15 В  … 15В    |   | 5.4 |   | мК  | 
| Входной пропускной способностью                                                                                 | C ies  |     В СЕ    =25V,V GE  =0V,   f=1MHz,T vj  =25°C  |   | 71.4 |   |       нФ  | 
| Выходной объем   выходная мощность  | C - Да.  |   | 4.82 |   | 
| Капацитет обратной передачи  обратная переходная ёмкость  | C res  |   | 1.28 |   | 
| Задержка включения  время  开通延迟时间  | т   d(on)  |         В CC  = 2800В,  Я   C  =650A,  R G    =2.2 ω    , В GE  =±15В,  Л   σ =280nH,  щутственный нагрузка  | Телевидение  =    25 °C  |   | 420 |   |     nS  | 
| Телевидение  =  125 °C  |   | 528 |   | 
| Время нарастания  увеличивается время  | т   r  | Телевидение  =    25 °C  |   | 160 |   | 
| Телевидение  =  125 °C  |   | 190 |   | 
| Время задержки выключения  задержка отключения  | т   г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) | Телевидение  =    25 °C  |   | 2100 |   |     nS  | 
| Телевидение  =  125 °C  |   | 2970 |   | 
| Время спада  снижение времени  | т   к  | Телевидение  =  25 °C  |   | 1600 |   | 
| Телевидение  =  125 °C  |   | 2760 |   | 
| Включение переключения  потеря энергии  энергия потерь при включении  | Е нА  | Телевидение  =  25 °C  |   | 1000 |   | mJ  | 
| Телевидение  =125  °C  |   | 1600 |   | 
| Выключатель  потеря энергии  энергия потерь при отключении  | Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ  | Телевидение  =  25 °C  |   | 2000 |   | mJ  | 
| Телевидение  =125  °C  |   | 2740 |   | 
| Короткое замыкание  ток  ток короткого замыкания  | Я   SC  | т   псц ≤    10μ с, V GE  =15В,    Т   vj =  125°C,V CC  =  3400V  |   | 3940 |   | A  | 
 
Характеристические значения диодов 
| Параметр/参数  | Символ/符号  | Условия/条件  | мин  | тИП  | макс  | Единица    | 
| Напряжение вперед  прямое электрическое давление  | В К  | Я   К  =650A  | Телевидение  =  25 °C  |   | 3.2 |   | В  | 
| Телевидение  =  125 °C  |   | 3.6 |   | 
| Обратный  ток восстановления  возвращение к электрическому потоку  | Я   рР  |   В CC  = 2800В,  Я   C  =650A,  R G    =2.2 ω    , В GE  =±15В,  Л   σ =280nH,  щутственный нагрузка  | Телевидение  =  25 °C  |   | 1200 |   | A  | 
| Телевидение  =  125 °C  |   | 1300 |   | A  | 
| Восстановленная зарядка  восстановительный заряд  | Q рР  | Телевидение  =  25 °C  |   | 450 |   | мК  | 
| Телевидение  =  125 °C  |   | 550 |   | мК  | 
| Обратный  время восстановления  время обратного восстановления  | т   рР  | Телевидение  =  25 °C  |   | 660 |   | nS  | 
| Телевидение  =  125 °C  |   | 750 |   | 
| Обратный  энергия восстановления  энергия обратного восстановления  | Е rec  | Телевидение  =25  °C  |   | 720 |   | mJ  | 
| Телевидение  =  125 °C  |   | 860 |   |