Модуль IGBT, GD1000HFA75N5HT Starpower

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

750

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

И CN

Использование коллектора Cu ренты

1000

А

И C

Коллектор Текущий T vj =175o C

680

А

И См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1360

А

PD

Максимальное распределение мощности ация @ T F =75o C T vj =175o C

1086

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

750

V

И ФН

Использование коллектора Cu ренты

1000

А

И F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

680

А

И ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1360

А

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Рабочая температура развязки непрерывная

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

И C=680А,V GE =15В, T vj =25o C

1.25

1.50

V

И C=680А,V GE =15В, T vj =150o C

1.35

И C=680А,V GE =15В, T vj =175o C

1.40

И C=1000A,V GE =15В, T vj =25o C

1.45

И C=1000A,V GE =15В, T vj =175o C

1.70

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

И C=9.60mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

И C=9.60mA ,V СЕ =V GE , T vj =175o C

3.5

И CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

И ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.0

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =50В, f=100kHz, V GE =0В

72.3

нФ

C- Да.

Выходной объем

1.51

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.32

нФ

QG

Сбор за вход

V СЕ =400В, И C=680А, V GE =-10…+15В

4.10

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =400В, I C=680А, Пруток G=0.22Ом, LС =16nH ,V GE =-10В/+15В,

T vj =25o C

196

nS

t пруток

Время нарастания

50

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

407

nS

t f

Время спада

125

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

11.1

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

29.1

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =400В, I C=680А, Пруток G=0.22Ом, LС =16nH ,V GE =-10В/+15В,

T vj =150o C

222

nS

t пруток

Время нарастания

63

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

471

nS

t f

Время спада

178

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

19.7

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

37.4

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =400В, I C=680А, Пруток G=0.22Ом, LС =16nH ,V GE =-10В/+15В,

T vj =175o C

224

nS

t пруток

Время нарастания

68

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

490

nS

t f

Время спада

194

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

21.7

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

39.5

mJ

И SC

Данные SC

t P≤6μs,V GE =15В,

4000

А

T vj =25o C,V CC =450В, V СМК ≤750В

t P≤3μс,V GE =15В,

T vj =175o C,V CC =450В, V СМК ≤750В

3300

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

И F =680А,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

И F =680А,V GE =0V,T vj =150o C

1.60

И F =680А,V GE =0V,T vj =175o C

1.55

И F =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

И F =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

Qпруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =400В, I F =680А,

-di/dt=15030A/μс,V GE =-10В, LС =16nH ,T vj =25o C

19.9

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

458

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

6.10

mJ

Qпруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =400В, I F =680А,

-di/dt=12360A/μс,V GE =-10В, LС =16nH ,T vj =150o C

29.7

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

504

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

9.70

mJ

Qпруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =400В, I F =680А,

-di/dt=11740A/μс,V GE =-10V, LС =16nH ,T vj =175o C

34.5

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

526

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

11.0

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток

Номинальное Сопротивление

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Температурный коэффициент нт

0.38

%/K

T Сх

Сам Подогрев

T C=0 o C

И м =0.1...0.3мА

0.4

К/мВт

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

5

nH

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

2.5

пруток

Пруток фНП

Переходный пункт —до —Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △V/ △t=8.0 дм 3/мИН ,T F =65o C

0.080 0.115

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт M5

5.4 5.4

6.6 6.6

Н.М

G

Вес из Модуль

220

g