Модуль IGBT, GD1000HFA75N5HT Starpower

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

750

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

1000

A

Я C

Коллектор Ток Т vj =175 о C

680

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1360

A

P Г

Максимальное распределение мощности ация @ Т К =75 о C Т vj =175 о C

1086

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

750

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

1000

A

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

680

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1360

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Рабочая температура развязки непрерывная

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =680А,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.25

1.50

В

Я C =680А,V GE =15В, Т vj =150 о C

1.35

Я C =680А,V GE =15В, Т vj =175 о C

1.40

Я C =1000A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.45

Я C =1000A,V GE =15В, Т vj =175 о C

1.70

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =9.60 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.5

6.5

7.0

В

Я C =9.60 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =175 о C

3.5

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =50В, f=100kHz, В GE =0В

72.3

нФ

C - Да.

Выходной объем

1.51

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.32

нФ

Q G

Сбор за вход

В СЕ =400В, Я C =680А, В GE =-10…+15В

4.10

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =680А, R G =0.22Ом, Л С =16 nH , В GE =-10В/+15В,

Т vj =25 о C

196

nS

т r

Время нарастания

50

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

407

nS

т к

Время спада

125

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

11.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

29.1

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =680А, R G =0.22Ом, Л С =16 nH , В GE =-10В/+15В,

Т vj =150 о C

222

nS

т r

Время нарастания

63

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

471

nS

т к

Время спада

178

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

19.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

37.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =680А, R G =0.22Ом, Л С =16 nH , В GE =-10В/+15В,

Т vj =175 о C

224

nS

т r

Время нарастания

68

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

490

nS

т к

Время спада

194

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

21.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

39.5

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤6μs,V GE =15В,

4000

A

Т vj =25 о C,V CC =450В, В СМК ≤750В

т P ≤3μс,V GE =15В,

Т vj =175 о C,V CC =450В, В СМК ≤750В

3300

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =680А,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.60

2.05

В

Я К =680А,V GE =0V,T vj =150 о C

1.60

Я К =680А,V GE =0V,T vj =175 о C

1.55

Я К =1000A,V GE =0V,T vj =25 о C

1.80

Я К =1000A,V GE =0V,T vj =175 о C

1.75

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =680А,

-di/dt=15030A/μс,V GE =-10В, Л С =16 nH ,Т vj =25 о C

19.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

458

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

6.10

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =680А,

-di/dt=12360A/μс,V GE =-10В, Л С =16 nH ,Т vj =150 о C

29.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

504

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

9.70

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =680А,

-di/dt=11740A/μс,V GE =- 10V, Л С =16 nH ,Т vj =175 о C

34.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

526

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.0

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R

Номинальный Сопротивление

Т C =0 о C

Т C =150 о C

1000

1573

ω ω

Т Кр

Температурный коэффициент нт

0.38

%/K

Т Сх

Сам Подогрев

Т C =0 о C

Я м =0.1...0.3мА

0.4

К/мВт

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

5

nH

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

2.5

штанга

R фНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=8.0 дм 3/мин ,Т К =65 о C

0.080 0.115

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт M5

5.4 5.4

6.6 6.6

Н.М

G

Вес из Модуль

220

g