Модуль IGBT GD820HFA75N6HY Starpower

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

750

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

820

A

Я C

Коллекторный ток @ T К = 95 о C T vj =175 о C

450

A

Я CRM

Повторяющийся Пик Коллектор Ток tp ограниченный от Т vjop

1640

A

P Г

Максимальное распределение мощности ация @ Т К =65 о C Т vj =175 о C

909

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

750

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

820

A

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ФРМ

Повторяющийся Пик Прямой Ток tp ограниченный от Т vjop

1640

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Рабочая температура развязки непрерывная

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

г Ползучесть

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

7.3 7.3

мм

г Прозрачный

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

7.3 4.0

мм

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =680А,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.25

1.50

В

Я C =680А,V GE =15В, Т vj =150 о C

1.35

Я C =680А,V GE =15В, Т vj =175 о C

1.40

Я C =820А,В GE =15В, Т vj =25 о C

1.30

Я C =820А,В GE =15В, Т vj =175 о C

1.50

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =12.9 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.5

6.5

7.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =50В, f=100kHz, В GE =0В

72.3

нФ

C - Да.

Выходной объем

1.51

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.32

нФ

Q G

Сбор за вход

В СЕ =400В, Я C =680А, В GE =-10…+15В

4.10

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω, Л С =20 nH ,В GE =-8V/+15V,

Т vj =25 о C

483

nS

т r

Время нарастания

60

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

664

nS

т к

Время спада

67

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

16.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

17.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω, Л С =20 nH ,В GE =-8V/+15V,

Т vj =150 о C

507

nS

т r

Время нарастания

76

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

750

nS

т к

Время спада

125

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

26.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

22.1

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω, Л С =20 nH ,В GE =-8V/+15V,

Т vj =175 о C

509

nS

т r

Время нарастания

79

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

764

nS

т к

Время спада

139

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

27.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

23.0

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤3μс, В GE =15В,

Т j =175 о C,V CC =450В, В СМК ≤750В

3300

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =680А,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.60

2.05

В

Я К =680А,V GE =0V,T vj =150 о C

1.60

Я К =680А,V GE =0V,T vj =175 о C

1.55

Я К =820А,В GE =0V,T vj =2 5о C

1.70

Я К =820А,В GE =0V,T vj =175 о C

1.65

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =450A,

-di/dt=8350A/μs,L С =20н H, В GE =-8V, Т vj =25 о C

12.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

273

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

3.45

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =450A,

-di/dt=6670A/μs,L С =20н H, В GE =-8V, Т vj =150 о C

27.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

319

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

6.51

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =450A,

-di/dt=6410A/μs,L С =20н H, В GE =-8V, Т vj =175 о C

31.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

334

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

7.26

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R

Номинальный Сопротивление

Т C =0 о C

Т C =150 о C

1000

1573

ω ω

Т Кр

Температурный коэффициент нт

0.38

%/K

Т Сх

Сам Подогрев

Т C =0 о C

Я м =0.1...0.3мА

0.4

К/мВт

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

5

nH

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

2.5

штанга

R фНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Жидкость для слияния и охлаждения (на ди (оде) △ V/ △ t=2.67 L/ мин ,Т К =65 о C

0.105 0.157

0.121 0.181

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт M5

3.6 5.4

4.4 6.6

Н.М

G

Вес из Модуль

220

g