Модуль IGBT, GD950HTX75P6HT Starpower

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

750

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

950

A

Я C

Коллекторный ток @ T К =100 о C

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1900

A

P Г

Максимальное распределение мощности ация @ Т К =75 о C Т j =175 о C

1162

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженность gE

750

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

950

A

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1900

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.35

1.60

В

Я C =450A,V GE =15В, Т j =150 о C

1.60

Я C =450A,V GE =15В, Т j =175 о C

1.65

Я C =950А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.75

Я C =950А,В GE =15В, Т j =175 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =9.60 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

4.9

5.8

6.5

В

Я C =9.60 mA ,В СЕ = В GE , Tj=175 о C

4.1

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =50В, f=100kHz, В GE =0В

69.1

нФ

C - Да.

Выходной объем

2.31

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

1.05

нФ

Q G

Сбор за вход

В СЕ =400В, I C =450A, В GE =-8...+15В

3.29

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω,

В GE =-8V/+15V, Л С =24нГн,

Т j =25 о C

191

nS

т r

Время нарастания

83

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

543

nS

т к

Время спада

158

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

16.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

20.5

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω,

В GE =-8V/+15V, Л С =24нГн,

Т j =150 о C

207

nS

т r

Время нарастания

96

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

594

nS

т к

Время спада

190

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

22.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

24.5

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω,

В GE =-8V/+15V, Л С =24нГн,

Т j =175 о C

208

nS

т r

Время нарастания

103

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

613

nS

т к

Время спада

190

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

26.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

26.9

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤6μs, В GE =15В,

4800

A

Т j =25 о C,V CC =400В, В СМК ≤750В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =450A,V GE =0V,T j =25 о C

1.40

1.65

В

Я К =450A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.35

Я К =450A,V GE =0V,T j =1 75о C

1.30

Я К =950А,В GE =0V,T j =25 о C

1.75

Я К =950А,В GE =0V,T j =1 75о C

1.75

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =450A,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8В Л С =24 nH ,Т j =25 о C

16.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

222

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

4.50

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =450A,

-di/dt=4810A/μс,V GE =-8В Л С =24 nH ,Т j =150 о C

32.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

283

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

8.19

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =450A,

-di/dt=4630A/μс,V GE =-8В Л С =24 nH ,Т j =175 о C

36.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

292

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

9.03

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.75

мОм

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

Т основание < 40 о C

Т основание 40о C

(относительное давление)

2.5 2.0

штанга

R фНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Жидкость для слияния и охлаждения (на ди (оде) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,Т К =75 о C

0.075 0.118

0.086 0.136

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Вес из Модуль

750

g