GD400HFX170C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C

@ T C = 100o C

648

400

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

800

А

P D

Максимальная мощность рассеяния T =175o C

2380

Ш

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

V

О F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

О C =400A,V GE =15В, T j =25o C

1.85

2.20

V

О C =400A,V GE =15В, T j =125o C

2.25

О C =400A,V GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.88

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

48.2

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.17

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =- 15V…+15V

3.77

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =400A, Пруток G =0.82Ω,V GE =±15В, T j =25o C

204

nS

t пруток

Время нарастания

38

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

425

nS

t f

Время спада

113

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

97.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

84.0

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =400A, Пруток G =0.82Ω,V GE =±15В, T j =125o C

208

nS

t пруток

Время нарастания

50

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

528

nS

t f

Время спада

184

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

141

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

132

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =400A, Пруток G =0.82Ω,V GE =±15В, T j =150o C

216

nS

t пруток

Время нарастания

50

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

544

nS

t f

Время спада

204

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

161

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

137

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =150o C,V CC = 100V, V СМК ≤1700V

1600

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

О F =400A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

О F =400A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

О F =400A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15В T j =25o C

116

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

666

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

63.8

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15В T j =125o C

187

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

662

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

114

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15В T j =150o C

209

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

640

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

132

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.35

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.063

0.105

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.032

0.053

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g