GD400HFX170C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C = 100о C

648

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

800

A

P Г

Максимальная мощность рассеяния Т =175 о C

2380

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

В

Я К

Диод непрерывно передний арендная плата

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.20

В

Я C =400A,V GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C =400A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.88

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

48.2

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.17

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15V…+15V

3.77

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =400A, R G =0.82Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C

204

nS

т r

Время нарастания

38

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

425

nS

т к

Время спада

113

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

97.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

84.0

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =400A, R G =0.82Ω,V GE =±15В, Т j =125 о C

208

nS

т r

Время нарастания

50

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

528

nS

т к

Время спада

184

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

141

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

132

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =400A, R G =0.82Ω,V GE =±15В, Т j =150 о C

216

nS

т r

Время нарастания

50

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

544

nS

т к

Время спада

204

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

161

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

137

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC = 100V, В СМК ≤1700V

1600

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед

Напряжение

Я К =400A,V GE =0V,T j =25 о C

1.80

2.25

В

Я К =400A,V GE =0V,T j =125 о C

1.90

Я К =400A,V GE =0V,T j =150 о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C

116

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

666

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

63.8

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15В Т j =125 о C

187

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

662

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

114

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15В Т j =150 о C

209

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

640

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

132

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.35

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.063

0.105

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.032

0.053

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g