GD3600SGX170C4S, Модуль IGBT, Модуль IGBT высокого тока, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =100 о C

3600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

7200

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

21.4

кВт

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

3600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

7200

A

Я ФСМ

Пиковый прямой ток V R =0V,T p =10мс, @T j =25 о C @T j =150 о C

23.22 19.95

кА

Я 2т

Я 2t-значение,V R =0V,T p =10м s,T j =25 о C Я 2t-значение,V R =0V,T p =10ms ,t j =150 о C

2695

1990

кА 2с

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =3600А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.30

В

Я C =3600А,В GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C =3600А,В GE =15В, Т j =150 о C

2.30

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =144.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

427

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

10.7

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

35.3

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =3600А, R Гон = 1,2Ω, R Гофф =0.9Ω, В GE =-9V/+15V,

Л С =65 nH ,Т j =25 о C

1161

nS

т r

Время нарастания

413

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

4761

nS

т к

Время спада

430

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

1734

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2580

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =3600А, R Гон = 1,2Ω, R Гофф =0.9Ω, В GE =-9V/+15V,

Л С =65 nH ,Т j =125 о C

1370

nS

т r

Время нарастания

547

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

5303

nS

т к

Время спада

457

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

2679

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2881

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =3600А, R Гон = 1,2Ω, R Гофф =0.9Ω, В GE =-9V/+15V,

Л С =65 nH ,Т j =150 о C

1413

nS

т r

Время нарастания

585

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

5490

nS

т к

Время спада

473

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

2863

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2960

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V

14.0

кА

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =3600А,В GE =0V,T j = 25о C

1.80

2.25

В

Я К =3600А,В GE =0V,T j =125 о C

1.90

Я К =3600А,В GE =0V,T j =150 о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =3600А,

-di/dt=7000А/мкс,V GE =-9В, Л С =65 nH ,Т j =25 о C

207

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1030

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

199

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =3600А,

-di/dt=5700/мкс,V GE =-9В, Л С =65 nH ,Т j =125 о C

288

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

1020

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

339

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =3600А,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-9В, Л С =65 nH ,Т j =150 о C

391

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

996

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

341

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

6.0

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.085

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

7.0 12.8

К/кВт

R thCH

Кейс -до -Радиатор (наIGBT )Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

6.2 11.3 4.0

К/кВт

г Ползучесть

Клемма-к-радиатору Клемма-к-клемме

32.2 32.2

мм

г Прозрачный

Клемма-к-радиатору Клемма-к-клемме

19.1 19.1

мм

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Крутящий момент соединения терминала, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

G

Вес из Модуль

2060

g