GD3600SGX170C4S, Модуль IGBT, Модуль IGBT высокого тока, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =100o C

3600

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

7200

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

21.4

кВт

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

3600

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

7200

А

О ФСМ

Пиковый прямой ток V Пруток =0V,T p =10мс, @T j =25o C @T j =150o C

23.22 19.95

kA

О 2t

О 2t-значение,V Пруток =0V,T p =10м s,T j =25o C О 2t-значение,V Пруток =0V,T p =10ms ,t j =150o C

2695

1990

kA2s

Символ

Описание

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =3600А,В GE =15В, T j =25o C

1.85

2.30

V

О C =3600А,В GE =15В, T j =125o C

2.25

О C =3600А,В GE =15В, T j =150o C

2.30

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =144.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

427

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

10.7

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

35.3

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =3600А, Пруток Гон = 1,2Ω, Пруток Гофф =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

Л S =65nH ,T j =25o C

1161

nS

t пруток

Время нарастания

413

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

4761

nS

t f

Время спада

430

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

1734

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2580

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =3600А, Пруток Гон = 1,2Ω, Пруток Гофф =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

Л S =65nH ,T j =125o C

1370

nS

t пруток

Время нарастания

547

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

5303

nS

t f

Время спада

457

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

2679

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2881

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =3600А, Пруток Гон = 1,2Ω, Пруток Гофф =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

Л S =65nH ,T j =150o C

1413

nS

t пруток

Время нарастания

585

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

5490

nS

t f

Время спада

473

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

2863

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2960

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC =1000V, V СМК ≤1700V

14.0

kA

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =3600А,В GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

О F =3600А,В GE =0V,T j =125o C

1.90

О F =3600А,В GE =0V,T j =150o C

1.95

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =3600А,

-di/dt=7000А/мкс,V GE =-9В, Л S =65nH ,T j =25o C

207

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

1030

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

199

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =3600А,

-di/dt=5700/мкс,V GE =-9В, Л S =65nH ,T j =125o C

288

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

1020

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

339

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =3600А,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-9В, Л S =65nH ,T j =150o C

391

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

996

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

341

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

6.0

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.085

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

7.0 12.8

К/кВт

Пруток thCH

Кейс -к -Радиатор (наIGBT )Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

6.2 11.3 4.0

К/кВт

d Ползучесть

Клемма-к-радиатору Клемма-к-клемме

32.2 32.2

мм

d Прозрачный

Клемма-к-радиатору Клемма-к-клемме

19.1 19.1

мм

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Крутящий момент соединения терминала, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

G

Вес из Модуль

2060

g