GD300HFX170C6SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

493

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

600

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

1829

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

600

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.20

В

Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =12.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

36.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.88

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

2.83

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A,

R Гон =3,3Ω, R Гофф = 4,7Ω, Л S =66нГн,V GE =±15В, Т j =25 о C

265

nS

т r

Время нарастания

94

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

565

nS

т f

Время спада

326

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

77.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

52.8

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A,

R Гон =3,3Ω, R Гофф = 4,7Ω, Л S =66нГн,V GE =±15В, Т j =125 о C

302

nS

т r

Время нарастания

104

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

631

nS

т f

Время спада

521

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

108

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

72.8

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A,

R Гон =3,3Ω, R Гофф = 4,7Ω, Л S =66нГн,V GE =±15В, Т j =150 о C

313

nS

т r

Время нарастания

108

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

645

nS

т f

Время спада

545

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

119

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

78.4

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C ,В CC =1000V, В СМК ≤1700V

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 о C

1.80

2.25

В

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 25о C

1.95

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 50о C

1.90

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 300A,

-ди/дt=2650А/мкс,V GE = 15 В Л S =66 nH ,Т j =25 о C

56.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

228

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

38.4

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 300A,

-di⁄dt=2300A⁄μs,V GE = 15 В Л S =66 nH ,Т j =125 о C

89.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

262

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

60.2

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F = 300A,

-ди/дt=2250A/мкс,V GE = 15 В Л S =66 nH ,Т j =150 о C

102

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

272

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

69.6

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.082 0.121

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.030 0.045 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g