GD300HFX170C6SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

493

300

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

600

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

1829

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

600

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C= 300 А,В GE =15В, T j =25o C

1.85

2.20

V

Я C= 300 А,В GE =15В, T j =125o C

2.25

Я C= 300 А,В GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=12.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

36.1

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.88

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

2.83

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C= 300A,

Пруток Гон =3,3Ω, Пруток Гофф = 4,7Ω, LС =66нГн,V GE =±15В, T j =25o C

265

nS

t пруток

Время нарастания

94

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

565

nS

t f

Время спада

326

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

77.6

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

52.8

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C= 300A,

Пруток Гон =3,3Ω, Пруток Гофф = 4,7Ω, LС =66нГн,V GE =±15В, T j =125o C

302

nS

t пруток

Время нарастания

104

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

631

nS

t f

Время спада

521

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

108

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

72.8

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C= 300A,

Пруток Гон =3,3Ω, Пруток Гофф = 4,7Ω, LС =66нГн,V GE =±15В, T j =150o C

313

nS

t пруток

Время нарастания

108

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

645

nS

t f

Время спада

545

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

119

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

78.4

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC =1000V, V СМК ≤1700V

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =125o C

1.95

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =150o C

1.90

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 300A,

-ди/дt=2650А/мкс,V GE = 15 В LС =66nH ,T j =25o C

56.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

228

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

38.4

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 300A,

-di⁄dt=2300A⁄μs,V GE = 15 В LС =66nH ,T j =125o C

89.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

262

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

60.2

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 300A,

-ди/дt=2250A/мкс,V GE = 15 В LС =66nH ,T j =150o C

102

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

272

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

69.6

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.082 0.121

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.030 0.045 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

350

г