GD260HTX120P7H, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

260

A

Я C

Коллекторный ток @ T К =100 о C

150

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

520

A

P Г

Максимальное распределение мощности ация @ Т К =75 о C Т j =175 о C

500

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженность gE

1200

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

260

A

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

150

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

520

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я

-40 до +150 +150 до +175

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =150A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.40

1.75

В

Я C =150A,V GE =15В, Т j =125 о C

1.60

Я C =150A,V GE =15В, Т j =150 о C

1.60

Я C =260A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.70

Я C =260A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.15

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =10.4 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

3.6

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

22.4

нФ

C - Да.

Выходной объем

0.95

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.55

нФ

Q G

Сбор за вход

В СЕ = 600 В,I C =150A, V GE =-8...+15В

1.32

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =150A,

R G =3,3Ω,

В GE =-8V/+15V,

Л С =35 nH ,Т j =25 о C

181

nS

т r

Время нарастания

44

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

541

nS

т к

Время спада

217

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

12.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

14.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =150A,

R G =3,3Ω,

В GE =-8V/+15V,

Л С =35 nH ,Т j =125 о C

193

nS

т r

Время нарастания

52

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

609

nS

т к

Время спада

319

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

17.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

18.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =150A,

R G =3,3Ω,

В GE =-8V/+15V,

Л С =35 nH ,Т j =150 о C

199

nS

т r

Время нарастания

54

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

628

nS

т к

Время спада

333

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

19.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

19.3

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤6μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

800

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =150A,V GE =0V,T j =25 о C

1.45

1.80

В

Я К =150A,V GE =0V,T j =1 25о C

1.40

Я К =150A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.35

Я К =260A,V GE =0V,T j =25 о C

1.65

Я К =260A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.65

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =150A,

-di/dt=3400A/μs,V GE =-8В Л С =35 nH ,Т j =25 о C

6.55

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

115

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

3.23

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =150A,

-di/dt=2950A/μs,V GE =-8В Л С =35 nH ,Т j =125 о C

14.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

125

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

5.42

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =150A,

-di/dt=2780A/μs,V GE =-8В Л С =35 nH ,Т j =150 о C

16.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

130

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

6.31

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

△ p

Падение давления в системе охлаждения слюнка

δ V\/Δt=10.0дм3\/мин;TF=2 5 о C;Охлаждающая Жидкость=50% Вода/50% Этиленгликоль

50

мбар

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

2.0

штанга

R фНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода)

0.200 0.274

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

685

g