Все категории

IGBT Дискретный

IGBT Дискретный

Главная страница /  Продукты /  IGBT Дискретный

DG25X12T2, IGBT дискретный, STARPOWER

1200В, 25А

Brand:
STARPOWER
  • Введение
Введение

Доброе напоминание. :F или больше IGBT Дискретный , пожалуйста, отправьте электронное письмо.

Особенности

  • Низкий VCE (спутниковая) Опоры IGBT тЕХНОЛОГИЯ
  • возможность короткого замыкания 10 мкм
  • Низкие потери при переключении
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • VCE(sat) с положительный температура коэффициент
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Оловобезопасный пакет

Типовой Применения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C = 110о C

50

25

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р ограниченный T jmax

100

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

573

В

Диод

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я F

Диод Непрерывный Прямой Ток @ T C = 110о C

25

A

Я ЧМ

Диод Максимальное Прямой Ток т р ограниченный от Т jmax

100

A

Дискретно

Символ

Описание

Ценности

Единица

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-55 до +150

о C

Т S

Температура сварки: 1,6 мм от m случай для 10с

260

о C

М

Крутящий момент установки, Винт M3

0.6

Н.М

IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =25А, В GE =15В,

Т j =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =25А, В GE =15В,

Т j =125 о C

1.95

Я C =25А, В GE =15В,

Т j =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 0,63 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.2

6.0

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

2.59

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.07

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

0.19

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =25А, R G =20Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C

28

nS

т r

Время нарастания

17

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

196

nS

т f

Время спада

185

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

1.71

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

1.49

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =25А, R G =20Ω,V GE =±15В, Т j =125 о C

28

nS

т r

Время нарастания

21

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

288

nS

т f

Время спада

216

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

2.57

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

2.21

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =25А, R G =20Ω,V GE =±15В, Т j =150 о C

28

nS

т r

Время нарастания

22

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

309

nS

т f

Время спада

227

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

2.78

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

2.42

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

100

A

Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 25A,V GE =0V,T j =25 о C

2.20

2.65

В

Я F = 25A,V GE =0V,T j = 125о C

2.30

Я F = 25A,V GE =0V,T j = 150о C

2.25

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =25А,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15 В Т j =25 о C

1.43

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

34

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

0.75

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =25А,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15 В Т j = 125о C

2.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

42

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

1.61

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =25А,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15 В Т j = 150о C

2.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

44

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

2.10

mJ

Дискретно Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.262

0.495

K/W

R тГА

Соединение с окружающей средой

40

K/W

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000