Все категории
Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

IGBT Дискретный

IGBT Дискретный

Домашняя страница/Продукция/Модуль IGBT/Элемент IGBT

DG25X12T2, IGBT дискретный, STARPOWER

1200В, 25А

Brand:
STARPOWER
  • Введение
Введение

Доброе напоминание. :F или более IGBT дискретные, пожалуйста, отправьте электронное письмо.

Особенности

  • Низкий VCE (спутниковая) Опоры IGBT технологии
  • возможность короткого замыкания 10 мкм
  • Низкие потери при переключении
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • VCE(sat) с положительный температура коэффициент
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Оловобезопасный пакет

Типичный Приложения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальный Рейтинги T C=25o C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C

@ T C= 110o C

50

25

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p ограниченный T jmax

100

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

573

Ш

Диод

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

V

Я F

Диод Непрерывный Прямой Ток @ T C= 110o C

25

A

Я ЧМ

Диод Максимальный Прямой Текущий t p ограничено от T jmax

100

A

Дискретно

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-55 до +150

o C

T С

Температура сварки: 1,6 мм от m случай для 10с

260

o C

М

Крутящий момент установки, Винт M3

0.6

Н.М

IGBT Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C=25А, V GE =15В,

T j =25o C

1.70

2.15

V

Я C=25А, V GE =15В,

T j =125o C

1.95

Я C=25А, V GE =15В,

T j =150o C

2.00

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=0.63mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

2.59

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

0.07

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

0.19

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=25А, Пруток Г =20Ω,V GE =±15В, T j =25o C

28

nS

t пруток

Время нарастания

17

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

196

nS

t f

Время спада

185

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

1.71

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

1.49

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=25А, Пруток Г =20Ω,V GE =±15В, T j =125o C

28

nS

t пруток

Время нарастания

21

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

288

nS

t f

Время спада

216

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

2.57

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

2.21

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=25А, Пруток Г =20Ω,V GE =±15В, T j =150o C

28

nS

t пруток

Время нарастания

22

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

309

nS

t f

Время спада

227

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

2.78

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

2.42

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =150o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

100

A

Диод Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 25A,V GE =0V,T j =25o C

2.20

2.65

V

Я F = 25A,V GE =0V,T j = 125o C

2.30

Я F = 25A,V GE =0V,T j = 150o C

2.25

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =25А,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15 В T j =25o C

1.43

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

34

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

0.75

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =25А,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15 В T j = 125o C

2.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

42

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

1.61

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =25А,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15 В T j = 150o C

2.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

44

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

2.10

mJ

Дискретно Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.262

0.495

K/W

Пруток тГА

Соединение с окружающей средой

40

K/W

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Связанный продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждёт ваших консультаций.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000