модуль одноигбит
Одиночный модуль IGBT представляет собой прорыв в области силовой электроники, объединяя высокую эффективность коммутационных возможностей с надежной обработкой мощности в компактном корпусе. Этот инновационный модуль интегрирует транзистор с изолированным затвором и биполярным переходом (IGBT) с оптимизированной схемой управления затвором и защитными функциями, обеспечивая исключительные эксплуатационные характеристики в приложениях преобразования энергии. Конструкция модуля включает передовые решения для теплового управления, позволяющие обрабатывать значительные мощности, сохраняя оптимальную рабочую температуру. Модули работают с частотами переключения от 1 кГц до 100 кГц, эффективно обрабатывая напряжения от 600 В до 6500 В и токи до нескольких сотен ампер. Архитектура одиночного модуля IGBT включает антипараллельные диоды, обеспечивающие плавное протекание тока и минимизацию потерь при переключении. Конструкция с изолированной основной пластиной повышает теплопроводность и электрическую изоляцию, что делает модуль идеальным для различных промышленных применений. Модуль оснащен встроенными датчиками температуры и механизмами защиты от короткого замыкания, обеспечивая комплексную безопасность системы. Типичные приложения включают регулируемые электроприводы, инверторы солнечных электростанций, источники бесперебойного питания и системы зарядки электромобилей, где критически важны надежный контроль мощности и энергоэффективность.