двойной модуль IGBT
Модуль с двойным IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) представляет собой важное достижение в области силовой электроники, объединяя два IGBT-устройства в одном корпусе для повышения производительности и эффективности. Этот сложный компонент служит основой современных систем преобразования и управления электроэнергией. Модуль объединяет два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами свободного хода, обеспечивая эффективное переключение и контроль тока в обоих направлениях. Работая на высоких частотах при низких потерях при переключении, эти модули обычно рассчитаны на напряжения от 600 В до 6500 В и токи от 50 А до 3600 А. Двойная конфигурация позволяет использовать различные схемы построения, включая полумостовые схемы, которые необходимы для инверторных приложений. Продвинутые функции теплового управления, включая прямое меднение и современные технологии корпусирования, обеспечивают оптимальный отвод тепла и надежность. Конструкция модуля включает усовершенствованную цепь управления затвором, обеспечивая точный контроль переключений и защиту от перегрузок по току и короткого замыкания. Эта технология широко применяется в приводах промышленных двигателей, системах возобновляемой энергетики, источниках бесперебойного питания и силовых установках электромобилей, где высокая эффективность и надежность имеют первостепенное значение.