YMIF2400-17,IGBT-module,Hoge stroom IGBT-module, enkele schakel,CRRC

(Symbool)

(Parameter)

(Testomstandigheden)

(waarde)

(Eenheid)

VCES

Spanning van de collectieverzender

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

± 20

V

I C

Stroom van de collectieverzender naar de zender

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

Een

I C(PK)

Piekstroom van de collector

tP = 1 ms

4800

Een

P max

Max. transistor vermogensverlies

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

19.2

kW

I 2t

Diode I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Visol

Isolatiespanning – per module

( Gemeenschappelijke terminals naar basisplaat),

AC RMS,1 min, 50Hz

4000

V

Q PD

Deelontlading – per module

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

pC

Tcase = 25 °C T case = 25°C tenzij anders vermeld

(Symbool)

(Parameter)

(Testomstandigheden)

(Min)

(Typ)

(Max)

(Eenheid)

I CES

De verzamelaar moet de volgende gegevens bevatten:

V GE = 0V, VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C

40

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C

60

mA

I GES

Doorlaatstroom

V GE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

V GE (TH)

De grensspanning van de poort

I C = 80mA, V GE = VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE (sat) ((*1)

Verzadiging van de collectie-emitter

spanning

VGE =15V, IC = 2400A

1.75

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

1.95

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

2.05

V

I F

Diode-voorkrants

DC

2400

Een

I FRM

Diode Maximale Voorwaartse Stroom

t P = 1ms

4800

Een

VF(*1)

Diode-spanning naar voren

IF = 2400A

1.65

V

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

1.75

V

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

1.75

V

Cies

Ingangs capaciteit

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

400

nF

Qg

Gate-lading

±15V

19

μC

Cres

Omgekeerde overdracht capaciteit

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

3

nF

L M

Module-inductie

10

nH

R INT

Interne transistor weerstand

110

μΩ

I SC

Kortsluitstroom, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

Een

td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2320

n

t f

Ouderdom

500

n

E OFF

Energieverlies bij uitschakeling

1050

mJ

td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

450

n

- Het is...

Opstijgtijd

210

n

EON

Inschakel energieverlies

410

mJ

Qrr

Diode omgekeerde herstel lading

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

480

μC

I rr

Diode omgekeerde herstelstroom

1000

Een

Erec

Diode omgekeerde herstel energie

320

mJ

td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

n

t f

Ouderdom

510

n

E OFF

Energieverlies bij uitschakeling

1320

mJ

td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

450

n

- Het is...

Opstijgtijd

220

n

EON

Inschakel energieverlies

660

mJ

Qrr

Diode omgekeerde herstel lading

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

750

μC

I rr

Diode omgekeerde herstelstroom

1200

Een

Erec

Diode omgekeerde herstel energie

550

mJ

td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

n

t f

Ouderdom

510

n

E OFF

Energieverlies bij uitschakeling

1400

mJ

td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

450

n

- Het is...

Opstijgtijd

220

n

EON

Inschakel energieverlies

820

mJ

Qrr

Diode omgekeerde herstel lading

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

820

μC

I rr

Diode omgekeerde herstelstroom

1250

Een

Erec

Diode omgekeerde herstel energie

620

mJ