TG1800HF17H1-S500,IGBT-module,Halve brug IGBT,CRRC

符号 Symbool

参数名称 Parameter

test条件

Testomstandigheden

geclassificeerde Waarde

单位 Eenheid

V CES

集电极 -emittor-spanning

Spanning van de collectieverzender

V GE = 0V, T C = 25 °C

1700

V

V GES

gate -emittor-spanning

Spanning van de poort-emitter

T C = 25 °C

± 20

V

I C

集电极电流

Stroom van de collectieverzender naar de zender

T C = 85 °C, T vj maximaal = 175°C

1800

Een

I C (((PK)

集电极峰值电流

Piekstroom van de collector

t P =1 ms

3600

Een

P maximaal

maximale verlies in transistorsectie

Max. vermogensafvoer van de transistor

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kW

I 2t

diode I 2t 值 Diode I 2t

V R =0V, t P = 10 ms, T vj = 175 °C

551

kA 2s

V isolatie

绝缘elektrische druk (模块 )

Isolatie spanning - per module

短接 alle eindjes, eindjes en basisplaten tussen toegevoegde spanning ( Aangesloten terminal s naar basisplaat), AC RMS,1 min, 50 Hz, T C = 25 °C

4000

V

parameters Symbool

uitleg

Uitleg

值 Waarde

单位 Eenheid

kruidafstand

Kruipafstand

terminal -koeler

Terminal naar verwarmingssink

36.0

mm

terminal -terminal

Terminal naar terminal

28.0

mm

isolatieafstand Vrije ruimte

terminal -koeler

Terminal naar verwarmingssink

21.0

mm

terminal -terminal

Terminal naar terminal

19.0

mm

relatieve lekspoorindex

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 Symbool

参数名称 Parameter

test条件

Testomstandigheden

最小值 Min.

典型值 - Een type.

maksimale waarde Max.

单位 Eenheid

R th(j-c) IGBT

IGBT junctie-hitteweerstand

Thermisch weerstand - IGBT

16

K / kW

R th(j-c) Diode

thermische weerstand van diode

Thermisch weerstand - Diode

33

K / kW

R th ((c-h) IGBT

contact-hitteweerstand (IGBT)

Thermisch weerstand -

geval naar warmtelossenaar (IGBT)

installatie koppel 5Nm, thermische pasta 1W/m·K Montagekoppelingsmoment 5Nm,

met montage vet 1W/m·K

14

K / kW

R th ((c-h) Diode

contact-hitteweerstand (Diode)

Thermisch weerstand -

geval naar warmtelossenaar (Diode)

installatie koppel 5Nm, thermische pasta 1W/m·K Montagekoppelingsmoment 5Nm,

met montage vet 1W/m·K

17

K / kW

T vjop

werk junction temperatuur

Bedrijfsknoop temperatuur

IGBT chip ( IGBT )

-40

150

°C

diodechip ( Diode )

-40

150

°C

T sTG

opslagtemperatuur

Opslagtemperatuurbereik

-40

150

°C

M

installatie koppel

Schroefkoppel

voor installatiebevestiging – M5 Montage – M5

3

6

Nm

voor circuitverbinding – M4

Elektrische verbindingen – M4

1.8

2.1

Nm

voor circuitverbinding – M8

Elektrische verbindingen – M8

8

10

Nm

符号 Symbool

参数名称 Parameter

test条件

Testomstandigheden

最小值 Min.

典型值 - Een type.

maksimale waarde Max.

单位 Eenheid

R th(j-c) IGBT

IGBT junctie-hitteweerstand

Thermisch weerstand - IGBT

16

K / kW

R th(j-c) Diode

thermische weerstand van diode

Thermisch weerstand - Diode

33

K / kW

R th ((c-h) IGBT

contact-hitteweerstand (IGBT)

Thermisch weerstand -

geval naar warmtelossenaar (IGBT)

installatie koppel 5Nm, thermische pasta 1W/m·K Montagekoppelingsmoment 5Nm,

met montage vet 1W/m·K

14

K / kW

R th ((c-h) Diode

contact-hitteweerstand (Diode)

Thermisch weerstand -

geval naar warmtelossenaar (Diode)

installatie koppel 5Nm, thermische pasta 1W/m·K Montagekoppelingsmoment 5Nm,

met montage vet 1W/m·K

17

K / kW

T vjop

werk junction temperatuur

Bedrijfsknoop temperatuur

IGBT chip ( IGBT )

-40

150

°C

diodechip ( Diode )

-40

150

°C

T sTG

opslagtemperatuur

Opslagtemperatuurbereik

-40

150

°C

M

installatie koppel

Schroefkoppel

voor installatiebevestiging – M5 Montage – M5

3

6

Nm

voor circuitverbinding – M4

Elektrische verbindingen – M4

1.8

2.1

Nm

voor circuitverbinding – M8

Elektrische verbindingen – M8

8

10

Nm

符号 Symbool

参数名称 Parameter

test条件

Testomstandigheden

最小值 Min.

典型值 - Een type.

maksimale waarde Max.

单位 Eenheid

R 25

nominaal weerstandswaarde

Beoordeeld weerstand

T C = 25 °C

5

kΩ

△ R /R

R100 afwijking

Afwijking van R100

T C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P 25

dissipatievermogen

Vermogen dissipatie

T C = 25 °C

20

mW

B 25/50

B- 值

B-waarde

R 2 = R 25uitgave [B 25/50 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

B- 值

B-waarde

R 2 = R 25uitgave [B 25/80 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

B- 值

B-waarde

R 2 = R 25uitgave [B 25/100 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 Symbool

参数名称 Parameter

条件

Testomstandigheden

最小值 Min.

典型值 - Een type.

maksimale waarde Max.

单位 Eenheid

I CES

集电极截止电流

De verzamelaar moet de volgende gegevens bevatten:

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =150 °C

40

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =175 °C

60

mA

I GES

栅极漏电流

Gate lekstroom

V GE = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V GE (TH)

gate -emittor drempelspanning De grensspanning van de poort

I C = 60mA, V GE = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (gesat) (*1)

集电极 -emittor verzadigingsspanning

Verzadiging van de collectie-emitter

spanning

V GE =15V, I C = 1800A

1.70

V

V GE =15V, I C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V GE =15V, I C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

I F

diode gelijkstroom Diode-voorkrants

DC

1800

Een

I FRM

diode positieve herhalingspiekstroom Diode piek voorwaartse stroom nt

t P = 1ms

3600

Een

V F (*1)

diode positieve spanning

Diode-spanning naar voren

I F = 1800A, V GE = 0

1.60

V

I F = 1800A, V GE = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

I F = 1800A, V GE = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

I SC

kortsluitstroom

Kortsluiting stroom

T vj = 175°C, V CC = 1000 V, V GE ≤ 15 V, t p ≤ 10μs,

V CE(max) = V CES – L (*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

Een

C ies

ingangscondensator

Ingangs capaciteit

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100KHZ

542

nF

Q g

栅极电荷

Gate-lading

±15V

23.6

μC

C res

teruggaande overdracht capaciteit

Omgekeerde overdracht capaciteit

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100KHZ

0.28

nF

L sCE

moduul stray inductie

Module stray inducta - De

8.4

nH

R CC + EE ’

moduul aansluitweerstand, terminalen -chip M odule lead weerstand, terminal-chip

per schakeling

per switch

0.20

mΩ

R Gint

interne gate-weerstand

Inwendige poort weerstand

1

ω

符号 Symbool

参数名称 Parameter

test条件

Testomstandigheden

最小值 Min.

典型值 - Een type.

maksimale waarde Max.

单位 Eenheid

t d(uit)

uitschakelvertraging

Vertragingstijd voor uitschakeling

I C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15 V, R G ((OFF) = 0,5Ω, L S = 25nH,

d v ⁄dt = 3800V⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

n

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

dalingstijd Ouderdom

T vj = 25 °C

245

n

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

E Afgeschakeld

uitschakelverliezen

Energieverlies bij uitschakeling

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t de volgende categorieën

开通延迟时间

Tijd voor de inlichtingsachterstand

I C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15 V, R G (((ON) = 0,5Ω, L S = 25nH,

d i ⁄dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

n

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t r

stijgingstijd Opstijgtijd

T vj = 25 °C

135

n

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

E Aan

inschakelverliezen

Inrichting van de centrale verlies

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Q rR

diode terugkeerlaadcapaciteit Diode omgekeerd

terugvorderingsheffing

I F =1800A, V CE = 900V,

- Ik ben niet... i F /dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

μC

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

I rR

diode terugkeerstroom Diode omgekeerd

terugwinningstroom

T vj = 25 °C

1330

Een

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

E rec

diode terugkeerverliezen Diode omgekeerd

energieherwinning

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420