MZ100, Fast Recovery Diode module, TECHSEM

VRRM

Type & Omtrek

600V

MZ100-06-210F2NA

MZ100-06-210F2NK

800V

MZ100-08-210F2NA

MZ100-08-210F2NK

1000V

MZ100-10-210F2NA

MZ100-10-210F2NK

1200V

MZ100-12-210F2NA

MZ100-12-210F2NK

1400V

MZ100-14-210F2NA

MZ100-14-210F2NK

1600V

MZ100-16-210F2NA

MZ100-16-210F2NK

1800V

MZ100-18-210F2NA

MZ100-18-210F2NK

Symbool

KENNISPAL

Testomstandigheden

Tj( ℃ )

Waarde

Eenheid

Min.

Type

Maximaal

IF(AV)

Gemiddelde voortgangsstroom

180° halve sinusgolf 50Hz

Enkelzijdig gekoeld,TC= 100 ℃

140

100

A

IF (RMS)

RMS voortgangsstroom

157

A

IRRM

Herhalende piekstroom

bij VRRM

140

30

mA

IFSM

Surge Voorwaartse Stroom

10ms halve sinusgolf VR=0.6VRRM

140

3.5

kA

I2t

I2t voor smeltcoördinatie

61

A ²s* 10 ³

VFO

De spanning van de spanning moet worden bepaald door de volgende factoren:

140

1.05

V

rF

Voortgangshellingweerstand

1.80

mΩ

VFM

Pieksvoortgangsspanning

IFM=300A

25

1.90

V

trr

Teruglooptijd

IFM=200A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Thermische weerstand Junction naar behuizing

Enkelzijdig gekoeld per chip

0.200

℃ /W

Rth(c-h)

Thermische weerstand behuizing naar koellichaam

Enkelzijdig gekoeld per chip

0.080

℃ /W

Fm

Aansluitmoment (M6)

6.0

N·m

Montage moment (M6)

6.0

N·m

Tvj

Verbindingstemperatuur

-40

140

℃

TSTG

Opgeslagen temperatuur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

185

g

Overzicht

210F2