GD400SGY120C2S,IGBT-module,STARPOWER

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaar Stroom @ T C=25o C

@ T C= 100o C

630

400

A

ICm

Pulsed Verzamelaar Stroom t p =1ms

800

A

PD

Maximum VOEDING Dissipatie @ T j =175o C

2083

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V

IF

Diode met continue voorstroom

400

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

800

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt ature

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 naar +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 naar +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS ,f=50 Hz ,t=1 mIN

4000

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat )

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

IC= 400A, V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC= 400A, V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC= 400A, V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC= 10.0mA ,V CE =V GE ,T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Verzamelaar-afsluiting

Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V,

T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

1.9

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

nF

Cres

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.16

nF

V G

Gate-lading

V GE =- 15V…+15V

3.11

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =600V, IC= 400A, R G= 2,0Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

257

n

t r

Opstijgtijd

96

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

628

n

t f

Ouderdom

103

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

23.5

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

34.0

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =600V, IC= 400A, R G= 2,0Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

268

n

t r

Opstijgtijd

107

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

659

n

t f

Ouderdom

144

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

35.3

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

51.5

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =600V, IC= 400A, R G= 2,0Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

278

n

t r

Opstijgtijd

118

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

680

n

t f

Ouderdom

155

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

38.5

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

56.7

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

IF = 400A, V GE =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 400A, V GE =0V, T j = 125o C

1.85

IF = 400A, V GE =0V, T j = 150o C

1.85

V r

Teruggevorderde heffing

V R =600V, IF = 400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE =- 15V T j =25o C

38.0

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

285

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

19

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R =600V, IF = 400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE =- 15V T j = 125o C

66.5

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

380

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

36.6

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R =600V, IF = 400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE =- 15V T j = 150o C

76.0

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

399

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

41.8

mJ

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC ’+EE ’

Module Loodweerstand, terminal aan Chip

0.18

mΩ

R thJC

Junctie -naar -Geval (per IGBT )

Junctie -naar -Geval (per Diode )

0.072

0.095

K/W

R thCH

Geval -naar -Verwarmingssink (per IGBT )

Geval -naar -Verwarmingssink (per Diode )

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen zijn:

0.018

0.023

0.010

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage Koppel , Schroef M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

g