Kort inleiding
IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1700V 225A.
Kenmerken
Lage V CE (sat ) Gracht IGBT tECHNOLOGIE
10 μs kortcircuitcapaciteit - De
V CE (sat ) met positief temperatuur coëfficiënt
Maximum verbindingstemperatuur 175o C
Lage inductantie geval
Snel en zacht omgekeerd herstel anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie
Typisch Toepassingen
Omvormer voor motor d aandrijving
AC en DC servo aandrijving versterker
Ononderbroken stroomvoorziening r voorziening
Absoluut Maximum Beoordelingen T C =25 o C tenzij anders opgemerkt
IGBT
Symbool |
Beschrijving |
Waarde |
Eenheid |
V CES |
Spanning van de collectieverzender |
1700 |
V |
V GES |
Spanning van de poort-emitter |
±20 |
V |
I C |
Verzamelaarsstroom @ T C =25 o C
@ T C = 100o C
|
396
225
|
Een |
I CM |
Pulsed Collectorstroom t p = 1ms |
450 |
Een |
P D |
Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 o C |
1530 |
W |
Diode
Symbool |
Beschrijving |
Waarde |
Eenheid |
V RRM |
Herhalende piektalen omgekeerde spanning |
1700 |
V |
I F |
Diode continue voorwaartscur huur |
225 |
Een |
I Fm |
Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms |
450 |
Een |
Module
Symbool |
Beschrijving |
Waarde |
Eenheid |
T jmax |
Maximale temperatuur van de knooppunt |
175 |
o C |
T - Jaap. |
Werktemperatuur van de knooppunt |
-40 tot +150 |
o C |
T STG |
Opslagtemperatuur Bereik |
-40 tot +125 |
o C |
V Iso |
Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 min. |
4000 |
V |
IGBT Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
V CE (sat)
|
Verzamelaar naar uitgevende instelling
Voltage van de verzadiging
|
I C =225A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
I C =225A,V GE =15V, T j =125 o C |
|
2.25 |
|
I C =225A,V GE =15V, T j =150 o C |
|
2.35 |
|
V GE (th ) |
De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning |
I C =9.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I CES |
Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld
Stroom
|
V CE = V CES ,V GE =0V,
T j =25 o C
|
|
|
5.0 |
mA |
I GES |
Doorlaat van de poort-emitter Stroom |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Interne poortweerstand aas |
|
|
2.8 |
|
ω |
C ies |
Ingangs capaciteit |
V CE =25V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
27.1 |
|
nF |
C res |
Omgekeerde overdracht
Vermogen
|
|
0.66 |
|
nF |
Q G |
Gate-lading |
V GE - Ik ben niet... 15...+15V |
|
2.12 |
|
μC |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 900V,I C =225A, R Gaat u goed? = 3,3Ω, R Goff. =6.2Ω, V GE =±15V,
T j =25 o C
|
|
187 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
76 |
|
n |
t d (afgeschakeld ) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
587 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
350 |
|
n |
E aan |
Aanzetten Schakelen
Verlies
|
|
56.1 |
|
mJ |
E afgeschakeld |
Afschakeling
Verlies
|
|
52.3 |
|
mJ |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 900V,I C =225A, R Gaat u goed? = 3,3Ω, R Goff. =6.2Ω, V GE =±15V,
T j = 125o C
|
|
200 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
85 |
|
n |
t d (afgeschakeld ) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
693 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
662 |
|
n |
E aan |
Aanzetten Schakelen
Verlies
|
|
75.9 |
|
mJ |
E afgeschakeld |
Afschakeling
Verlies
|
|
80.9 |
|
mJ |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 900V,I C =225A, R Gaat u goed? = 3,3Ω, R Goff. =6.2Ω, V GE =±15V,
T j = 150o C
|
|
208 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
90 |
|
n |
t d (afgeschakeld ) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
704 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
744 |
|
n |
E aan |
Aanzetten Schakelen
Verlies
|
|
82.8 |
|
mJ |
E afgeschakeld |
Afschakeling
Verlies
|
|
87.7 |
|
mJ |
I SC
|
SC-gegevens
|
t P ≤ 10 μs,V GE =15V,
T j =150 o C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V
|
|
900
|
|
Een
|
Diode Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
V F
|
Diode naar voren
Spanning
|
I F =225A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
I F =225A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.90 |
|
I F =225A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 900V,I F =225A,
-di/dt=3565A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j =25 o C
|
|
63.0 |
|
μC |
I RM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
352 |
|
Een |
E rec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
37.4 |
|
mJ |
Q r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 900V,I F =225A,
-di/dt=3565A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j =125 o C
|
|
107 |
|
μC |
I RM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
394 |
|
Een |
E rec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
71.0 |
|
mJ |
Q r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 900V,I F =225A,
-di/dt=3565A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j =150 o C
|
|
121 |
|
μC |
I RM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
385 |
|
Een |
E rec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
82.8 |
|
mJ |
NTC Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
R 25 |
Nominale weerstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Afwijking van R 100 |
T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Vermogen
Dissipatie
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-waarde |
R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-waarde |
R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-waarde |
R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Module Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
L CE |
Inductie van de afwijking |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Module Loodweerstand, Terminal naar chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R thJC |
De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)
De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)
|
|
|
0.098
0.158
|
K/W |
R thCH
|
De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)
De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. diode)
De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)
|
|
0.029
0.047
0.009
|
|
K/W |
M |
Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
N.m |
G |
Gewicht van Module |
|
350 |
|
g |