IGBT-module GD950HTX75P6HB Starpower

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

750

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

ICN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

950

A

IC

Verzamelaarsstroom @ T F =90o C

450

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

1900

A

PD

Maximale vermogensafvoer atie @ T F =75o C T j =175o C

877

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

750

V

IFN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

950

A

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

450

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

1900

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werkpunttemperatuur continu

Tijdens 10 seconden binnen een periode van 30s, voorkomen maximaal 3000 keer over de levensduur

-40 tot +150 +150 tot +175

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC= 450 A,V GE =15V, T j =25o C

1.25

1.50

V

IC= 450 A,V GE =15V, T j =150o C

1.35

IC= 450 A,V GE =15V, T j =175o C

1.40

IC=950A,V GE =15V, T j =25o C

1.60

IC=950A,V GE =15V, T j =175o C

2.05

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=9.60mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

5.7

7.0

V

IC=9.60mA ,V CE =V GE , T j =175o C

3.5

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

0.7

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

42.1

nF

Coes

Uitgangscondensator

1.80

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

1.18

nF

V G

Gate-lading

V CE =400V,I C =450A, V GE =-8...+15V

3.01

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C= 450A, R G=2.4Ω, LS =24nH V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

126

n

t r

Opstijgtijd

62

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

639

n

t f

Ouderdom

149

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

17.3

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

25.4

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C= 450A, R G=2.4Ω, LS =24nH V GE =-8V/+15V,

T j =150o C

136

n

t r

Opstijgtijd

68

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

715

n

t f

Ouderdom

221

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

22.5

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

31.0

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C= 450A, R G=2.4Ω, LS =24nH V GE =-8V/+15V,

T j =175o C

138

n

t r

Opstijgtijd

68

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

739

n

t f

Ouderdom

227

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

24.8

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

32.6

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤6μs,V GE =15V,

5100

A

T j =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

t P≤3μs,V GE =15V,

T j =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF = 450 A,V GE =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450 A,V GE =0V,T j =150o C

1.35

IF = 450 A,V GE =0V,T j =175o C

1.30

IF =950A,V GE =0V,T j =25o C

1.75

IF =950A,V GE =0V,T j =175o C

1.75

V r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=7070A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T j =25o C

16.0

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

254

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

5.03

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=6150A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T j =150o C

36.0

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

320

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

9.49

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=6010A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T j =175o C

40.5

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

338

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

10.5

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

VOEDING

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

8

nH

R CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10,0 dm 3/mIN ,T F =75o C

64

mbar

p

Maximale druk in koelcircuit - De koek

T basisker <40o C

T basisker 40o C

(relatieve druk)

2.5 2.0

bar

R de JF

Junctie -naar -Afkoeling Water (perIGBT )Junctie-naar-koelvloeistof (per D iodum) △V/ △t=10,0 dm 3/mIN ,T F =75o C

0.098 0.140

0.114 0.160

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

G

Gewicht van Module

750

g