Alle categorieën
Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina/Producten/IGBT-module/IGBT Module 1200V

GD200HFX120C2SA_B36,IGBT Module,STARPOWER

1200V 200A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD200HFX120C2SA_B36
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Korte introductie

IGBT-module ,gemaakt door STARPOWER. 1200V 200A. Ik ben een

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen T C=25o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C

@ T C=100o C

340

200

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

400

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T j =175o C

1190

W

Diode

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

200

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

400

A

Module

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

IC=200A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=200A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=200A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=8.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

3.75

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.58

nF

V G

Gate-lading

V GE =- 15...+15V

1.55

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=200A, R G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

150

n

t r

Opstijgtijd

32

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

330

n

t f

Ouderdom

93

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

9.7

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

11.3

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=200A, R G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =125o C

161

n

t r

Opstijgtijd

37

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

412

n

t f

Ouderdom

165

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

20.2

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

17.0

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=200A, R G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =150o C

161

n

t r

Opstijgtijd

43

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

433

n

t f

Ouderdom

185

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

22.4

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

19.1

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Diode Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

2.40

2.90

V

IF =200A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

IF =200A,V GE =0V,T j =150o C

1.80

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

20.3

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

160

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

8.0

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

38.4

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

201

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

14.2

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

44.2

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

212

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

15.6

mJ

Module Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.35

R thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.126

0.211

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode)

De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.032

0.053

0.010

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

g

Overzicht

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Gerelateerd product

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam staat klaar voor uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000