Alle categorieën
Vraag een offerte aan
EN EN

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina/Producten/IGBT-module/IGBT Module 1200V

IGBT-module 1200V

GD720HTA120P6HLT,IGBT Module,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Module,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Module,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Module,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Module,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Module,STARPOWER

GD720HTA120P6HLT,IGBT Module,STARPOWER

1200V 720A Verpakking:P6

Brand:
Stardragers
Spu:
GD720HTA120P6HLT
Vraag een offerte aan
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Korte introductie

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers .1200V 720A. Ik ben een

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • Lage schakellosses
  • 4μs kortsluitvermogen
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerd koper pinfin onderplaat met Si3N4AMB technologie

Typische toepassingen

  • Automotive toepassing
  • Hybride en elektrische voertuigen
  • Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W

Absoluut Maximum Beoordelingen T F =25o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

ICN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

720

A

IC

Verzamelaarsstroom @ T F =65o C

600

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

1440

A

PD

Maximale vermogensafvoer atie @ T F =75o C T vj =175o C

1204

W

Diode

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde voltage gE

1200

V

IFN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

720

A

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

600

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

1440

A

Module

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T vjop

Werkpunttemperatuur continu

Voor 10s binnen een periode van 30s, voorkomens maximaal 3000 keer gedurende levensduur ik

-40 tot +150 +150 tot +175

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

3000

V

IGBT Kenmerken T F =25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=600A,V GE =15V, T vj =25o C

1.50

V

IC=600A,V GE =15V, T vj =150o C

1.80

IC=600A,V GE =15V, T vj =175o C

1.85

IC=720A,V GE =15V, T vj =25o C

1.60

IC=720A,V GE =15V, T vj =175o C

2.05

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=15.6mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

6.0

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

1.67

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V

48.7

nF

Coes

Uitgangscondensator

1.55

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.26

nF

V G

Gate-lading

V CE =800V,I C =600A, V GE =-8...+15V

3.52

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =800V,I C= 600A,

R Gaat u goed? =3.0Ω, R Goff. =1,0Ω, LS =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =25o C

208

n

t r

Opstijgtijd

65

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

505

n

t f

Ouderdom

104

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

77.7

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

62.2

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =800V,I C= 600A,

R Gaat u goed? =3.0Ω, R Goff. =1,0Ω, LS =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =150o C

225

n

t r

Opstijgtijd

75

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

567

n

t f

Ouderdom

191

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

110

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

83.4

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =800V,I C= 600A,

R Gaat u goed? =3.0Ω, R Goff. =1,0Ω, LS =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =175o C

226

n

t r

Opstijgtijd

77

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

583

n

t f

Ouderdom

203

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

118

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

85.9

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤4μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

Diode Kenmerken T F =25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =600A,V GE =0V,T vj =25o C

1.95

V

IF =600A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

IF =600A,V GE =0V,T vj =175o C

1.90

IF =720A,V GE =0V,T vj =25o C

2.05

IF =720A,V GE =0V,T vj =175o C

2.05

V r

Teruggevorderde heffing

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =25o C

44.3

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

346

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

16.2

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =150o C

73.4

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

385

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

27.8

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =175o C

80.7

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

392

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

30.7

mJ

NTC Kenmerken T F =25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

VOEDING

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Module Kenmerken T F =25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

8

nH

R CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.75

mΩ

p

Maximale druk in koelcircuit - De koek

T basisker <40o C

T basisker 40o C

(relatieve druk)

2.5 2.0

bar

R de JF

Junctie -naar -Afkoeling Water (perIGBT )Junction-naar-koelvloeistof (per Di (de) △V/ △t=10,0 dm 3/mIN ,T F =75o C

0.072 0.104

0.083 0.120

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

G

Gewicht van Module

750

g

Overzicht

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Gerelateerd product

Y89KFG, Niet-symmetrische snelle uitschakelthyristor
Y89KFG, Niet-symmetrische snelle uitschakelthyristor
Y76KFE,niet-symmetrische snel uitschakelende thyristor
Y76KFE,niet-symmetrische snel uitschakelende thyristor
MK(H)x400 MK400, Snel Uitschakelbare Thyristormodules, Waterkoeling
MK(H)x400 MK400, Snel Uitschakelbare Thyristormodules, Waterkoeling
JGC-5379M 0,3A/±80V Vier normaal open uitgangen (4A) Foto MOS-relais voor Defensie, lucht- en ruimtevaart, automatische besturing, ontstekingbesturing
JGC-5379M 0,3A/±80V Vier normaal open uitgangen (4A) Foto MOS-relais voor Defensie, lucht- en ruimtevaart, automatische besturing, ontstekingbesturing
JCKZQ-13M 20A/50Vd.c. vier-uitgangen sealed integrated controller
JCKZQ-13M 20A/50Vd.c. vier-uitgangen sealed integrated controller
CM7506L Precisie-DAC, 16 bit
CM7506L Precisie-DAC, 16 bit
Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam staat klaar voor uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000