Alle categorieën
Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina/Producten/IGBT-module/IGBT Module 1200V

GD600HFX120C2SA ,IGBT Module,STARPOWER

1200V 600A, Verpakking: C2

Brand:
Stardragers
Spu:
GD600HFX120C2SA
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Korte introductie

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers .1200V 600A. Ik ben een

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerd koperplaatje met HPS DBC-technologie

Typische toepassingen

  • Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen T F =25o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

Transiënte Gate-Emitter Spanning

±20 ±30

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C @ T C=100o C

925

600

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

1200

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T j =175o C

3000

W

Diode

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

600

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

1200

A

Module

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

4000

V

IGBT Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=600A,V GE =15V, T j =25o C

1.65

2.00

V

IC=600A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=600A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

1.25

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V

60.8

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

1.84

nF

V G

Gate-lading

V GE =-15…+15V

4.64

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C= 600A, R G= 1,2Ω, LS =34nH , V GE =±15V,T j =25o C

339

n

t r

Opstijgtijd

95

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

468

n

t f

Ouderdom

168

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

63.7

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

56.4

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C= 600A, R G= 1,2Ω, LS =34nH , V GE =±15V,T j =125o C

418

n

t r

Opstijgtijd

135

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

567

n

t f

Ouderdom

269

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

108

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

72.3

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C= 600A, R G= 1,2Ω, LS =34nH , V GE =±15V,T j =150o C

446

n

t r

Opstijgtijd

151

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

602

n

t f

Ouderdom

281

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

123

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

78.2

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Diode Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =600A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =600A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5210A/μs,V GE = 15 V, LS =34nH ,T j =25o C

49.3

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

300

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

24.1

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=3490A/μs,V GE = 15 V, LS =34nH ,T j =125o C

85.2

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

314

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

33.8

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=3080A/μs,V GE = 15 V, LS =34nH ,T j =150o C

102

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

318

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

36.8

mJ

Module Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.35

R thJC

Junctie -naar -Geval (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.050 0.080

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.033 0.052 0.010

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

g

Overzicht

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Gerelateerd product

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam staat klaar voor uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000