Alle categorieën
Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina/Producten/IGBT-module/IGBT Module 1200V

GD300MPX120C6SA,IGBT Module,STARPOWER

IGBT-module, 1200V 300A, Verpakking: C2

Brand:
Stardragers
Spu:
GD300MPX120C6SA
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Korte introductie

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers .1200V 300A. Ik ben een

Kenmerken

  • NPT IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • Lage schakellosses
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • Zonne-energie
  • UPS
  • 3-niveaus-toepassingen

Absoluut Maximum Beoordelingen T F =25o C tenzij anders opgemerkt

IGBT-omvormer

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C @ T C=100o C

468

300

A

ICRM

Herhalend De hoogtepunt Verzamelaar Stroom tp beperkt door T vjop

600

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T vj =175o C

1530

W

DIODE-omvormer

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

300

A

IFRM

Herhalend De hoogtepunt Vooruit Stroom tp beperkt door T vjop

600

A

Diode-3-niveau

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

300

A

IFRM

Herhalend De hoogtepunt Vooruit Stroom tp beperkt door T vjop

600

A

Module

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT -inverter Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=300A,V GE =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=300A,V GE =15V, T vj =125o C

1.95

IC=300A,V GE =15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

2.5

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

31.1

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.87

nF

V G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=300A, R G=2,4Ω,Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =25o C

215

n

t r

Opstijgtijd

53

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

334

n

t f

Ouderdom

205

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

21.5

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

20.7

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=300A, R G=2,4Ω,Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =125o C

231

n

t r

Opstijgtijd

59

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

361

n

t f

Ouderdom

296

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

30.1

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

28.1

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=300A, R G=2,4Ω,Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =150o C

240

n

t r

Opstijgtijd

62

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

376

n

t f

Ouderdom

311

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

32.9

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

29.9

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Diode -inverter Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =25o C

36.3

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

235

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

15.7

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =125o C

61.3

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

257

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

27.5

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =150o C

68.8

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

262

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

30.8

mJ

Diode -3-niveau Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=5683A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =25o C

36.2

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

290

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

13.4

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =125o C

56.6

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

301

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

22.2

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =150o C

65.9

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

306

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

26.3

mJ

NTC Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

∆R/R

Afwijking van R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

VOEDING

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Module Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

35

nH

R CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

1.45

R thJC

Junctie -naar -Geval (perIGBT -inverter ) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-invert er) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-3-le vel)

0.098 0.176 0.176

K/W

R thCH

Case-naar-Koeling (per IGBT-in verter) Case-naar-Koeling (per Diode-i nverter) Case-naar-Koeling (per Diode-3- niveau) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Gewicht van Module

350

g

Overzicht

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Gerelateerd product

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam staat klaar voor uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000