Korte introductie
IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers .1200V 150A. Ik ben een
Kenmerken
- Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
- 10 μs kortsluiting
- VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
-
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
- Geval met lage inductance
- Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
- Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie
Typische toepassingen
- Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
- Met een vermogen van niet meer dan 50 W
- Ononderbroken voeding
Absoluut Maximum Beoordelingen T F =25o C tenzij anders opgemerkt
IGBT-omvormer
Symbool |
BESCHRIJVING |
Waarden |
Eenheid |
V CES |
Spanning van de collectieverzender |
1200 |
V |
V GES |
Spanning van de poort-emitter |
±20 |
V |
IC |
Verzamelaarsstroom @ T C=25o C @ T C=100o C |
292
150
|
A |
ICm |
Pulsed Collectorstroom t p =1 ms |
300 |
A |
PD |
Maximale vermogensafvoer @ T j =175o C |
1111 |
W |
DIODE-omvormer
Symbool |
BESCHRIJVING |
Waarden |
Eenheid |
V RRM |
Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd |
1200 |
V |
IF |
Diode Continuous Forward Cu rrent |
150 |
A |
IFm |
Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms |
300 |
A |
Diode-rectifier
Symbool |
BESCHRIJVING |
Waarde |
Eenheid |
V RRM |
Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd |
1600 |
V |
IO |
Gemiddelde uitvoerstroom 5 0Hz/60Hz, sinusoïde |
150 |
A |
IFSM |
Surge Vooruitstroom t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C |
1600
1400
|
A |
I2t |
I2t-waarde,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C |
13000
9800
|
A2s |
IGBT-rem
Symbool |
BESCHRIJVING |
Waarde |
Eenheid |
V CES |
Spanning van de collectieverzender |
1200 |
V |
V GES |
Spanning van de poort-emitter |
±20 |
V |
IC |
Verzamelaarsstroom @ T C=25o C @ T C=100o C |
200
100
|
A |
ICm |
Pulsed Collectorstroom t p =1 ms |
200 |
A |
PD |
Maximale vermogensafvoer @ T j =175o C |
833 |
W |
Diode -rem
Symbool |
BESCHRIJVING |
Waarde |
Eenheid |
V RRM |
Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd |
1200 |
V |
IF |
Diode Continuous Forward Cu rrent |
50 |
A |
IFm |
Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms |
100 |
A |
Module
Symbool |
BESCHRIJVING |
Waarde |
Eenheid |
T jmax |
Maximale Junctiontemperatuur (inverter, rem) Maximale junctiontemperatuur (rectifier) |
175
150
|
o C |
T - Jaap. |
Werktemperatuur van de knooppunt |
-40 tot +150 |
o C |
T STG |
Opslagtemperatuurbereik |
-40 tot +125 |
o C |
V Iso |
Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT -inverter Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
|
V CE (sat)
|
Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging
|
IC=150A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IC=150A,V GE =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
IC=150A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning |
IC=6.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ICES |
Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Doorlaat van de poort-emitter Stroom |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Interne poortweerstand aas |
|
|
2.0 |
|
ω |
Cies |
Ingangs capaciteit |
V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V |
|
15.5 |
|
nF |
Cres |
Omgekeerde overdracht Vermogen |
|
0.44 |
|
nF |
V G |
Gate-lading |
V GE =-15 ...+15V |
|
1.17 |
|
μC |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C
|
|
96 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
30 |
|
n |
t d(uit) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
255 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
269 |
|
n |
Eaan |
Aanzetten Schakelen Verlies |
|
8.59 |
|
mJ |
Eafgeschakeld |
Afschakeling Verlies |
|
12.3 |
|
mJ |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =125o C
|
|
117 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
37 |
|
n |
t d(uit) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
307 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
371 |
|
n |
Eaan |
Aanzetten Schakelen Verlies |
|
13.2 |
|
mJ |
Eafgeschakeld |
Afschakeling Verlies |
|
16.8 |
|
mJ |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =150o C
|
|
122 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
38 |
|
n |
t d(uit) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
315 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
425 |
|
n |
Eaan |
Aanzetten Schakelen Verlies |
|
14.8 |
|
mJ |
Eafgeschakeld |
Afschakeling Verlies |
|
18.1 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC-gegevens
|
t P≤ 10 μs, V GE =15V,
T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
600
|
|
A
|
Diode -inverter Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
|
V F
|
Diode naar voren Spanning |
IF =150A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.25 |
V
|
IF =150A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
IF =150A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
V r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 600V,I F =150A,
-di/dt=4750A/μs,V GE =-15V T j =25o C
|
|
8.62 |
|
μC |
IRM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
177 |
|
A |
Erec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
5.68 |
|
mJ |
V r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 600V,I F =150A,
-di/dt=3950A/μs,V GE =-15V T j =125o C
|
|
16.7 |
|
μC |
IRM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
191 |
|
A |
Erec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
10.2 |
|
mJ |
V r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 600V,I F =150A,
-di/dt=3750A/μs,V GE =-15V T j =150o C
|
|
19.4 |
|
μC |
IRM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
196 |
|
A |
Erec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
12.1 |
|
mJ |
Diode -gelijkrichter Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
V F |
Diode naar voren Spanning |
IC=150A, T j =150o C |
|
1.00 |
|
V |
IR |
Terugstroom |
T j =150o C,V R =1600V |
|
|
3.0 |
mA |
IGBT -rem Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
|
V CE (sat)
|
Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging
|
IC=100A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IC=100A,V GE =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
IC=100A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning |
IC=4.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ICES |
Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Doorlaat van de poort-emitter Stroom |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Interne poortweerstand aas |
|
|
7.5 |
|
ω |
Cies |
Ingangs capaciteit |
V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V |
|
10.4 |
|
nF |
Cres |
Omgekeerde overdracht Vermogen |
|
0.29 |
|
nF |
V G |
Gate-lading |
V GE =-15 ...+15V |
|
0.08 |
|
μC |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C=100A, R G=1.6Ω,V GE =±15V, T j =25o C
|
|
170 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
32 |
|
n |
t d(uit) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
360 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
86 |
|
n |
Eaan |
Aanzetten Schakelen Verlies |
|
5.90 |
|
mJ |
Eafgeschakeld |
Afschakeling Verlies |
|
6.05 |
|
mJ |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C=100A, R G=1.6Ω,V GE =±15V, T j =125o C
|
|
180 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
42 |
|
n |
t d(uit) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
470 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
165 |
|
n |
Eaan |
Aanzetten Schakelen Verlies |
|
9.10 |
|
mJ |
Eafgeschakeld |
Afschakeling Verlies |
|
9.35 |
|
mJ |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C=100A, R G=1.6Ω,V GE =±15V, T j =150o C
|
|
181 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
43 |
|
n |
t d(uit) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
480 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
186 |
|
n |
Eaan |
Aanzetten Schakelen Verlies |
|
10.0 |
|
mJ |
Eafgeschakeld |
Afschakeling Verlies |
|
10.5 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC-gegevens
|
t P≤ 10 μs, V GE =15V,
T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
400
|
|
A
|
Diode -rem Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
|
V F
|
Diode naar voren Spanning |
IF =50A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
IF =50A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
IF =50A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
V r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 600V,I F =50A,
-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =25o C
|
|
6.3 |
|
μC |
IRM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
62 |
|
A |
Erec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
1.67 |
|
mJ |
V r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 600V,I F =50A,
-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =125o C
|
|
10.1 |
|
μC |
IRM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
69 |
|
A |
Erec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
2.94 |
|
mJ |
V r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 600V,I F =50A,
-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =150o C
|
|
11.5 |
|
μC |
IRM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
72 |
|
A |
Erec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
3.63 |
|
mJ |
NTC Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
R 25 |
Nominale weerstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Afwijking van R 100 |
T C=100 o Cr 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
VOEDING
Dissipatie
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-waarde |
R 2=R 25uitgave [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-waarde |
R 2=R 25uitgave [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-waarde |
R 2=R 25uitgave [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Module Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
LCE |
Inductie van de afwijking |
|
40 |
|
nH |
R CC+EE R AA ’+CC ’ |
Module leidingweerstand nce,Terminal naar Chip |
|
4.00 3.00 |
|
mΩ |
|
R thJC
|
Junctie -naar -Geval (perIGBT -inverter ) Aansluiting-tot-Geval (per DIODE-inverter ter) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-re ctifier) Junctie -naar -Geval (perIGBT -rem )
Aansluiting-naar-gehuise (per Diode-br ake)
|
|
|
0.135 0.300 0.238 0.180 0.472 |
K/W
|
|
R thCH
|
Geval -naar -Verwarmingssink (perIGBT -inverter )Case-naar-Koelplaat (per Diode-i nverter) Case-naar-Koelplaat (per Diode-re ctifier) Geval -naar -Verwarmingssink (perIGBT -rem )
Gehuise-naar-koelsysteem (per Dio de-brake) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)
|
|
0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009 |
|
K/W
|
M |
Montage-koppel Schroef:M5 |
3.0 |
|
6.0 |
N.m |
EN
