GD150PFX170C6SG,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 o C @ T C = 95 o C

232

150

Een

I CM

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

300

Een

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 o C

828

W

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1700

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

150

Een

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

300

Een

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1800

V

I O

Gemiddelde uitvoerstroom 5 0Hz/60Hz, sinusoïde

150

Een

I FSM

Surge Vooruitstroom t p =10ms @ T j = 25o C @ T j =150 o C

1600

1400

Een

I 2t

I 2t-waarde,t p =10ms @ T j =25 o C @ T j =150 o C

13000

9800

Een 2s

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale junctiontemperatuur (inverter) Maximale junctiontemperatuur (rectifier)

175

150

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =150A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C =150A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

I C =150A,V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =6.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

4.3

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.44

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =150A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,T j =25 o C

292

n

t r

Opstijgtijd

55

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

458

n

t f

Ouderdom

392

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

33.6

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

26.3

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =150A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,T j =125 o C

342

n

t r

Opstijgtijd

67

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

520

n

t f

Ouderdom

568

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

50.5

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

35.7

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =150A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,T j =150 o C

352

n

t r

Opstijgtijd

68

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

535

n

t f

Ouderdom

589

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

53.3

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

36.3

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

600

Een

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =150A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

I F =150A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

I F =150A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=2340A/μs,V GE =-15V L S =46 nH ,T j =25 o C

21.3

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

183

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

20.4

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=2000A/μs,V GE =-15V L S =46 nH ,T j =125 o C

36.2

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

196

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

33.9

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1830A/μs,V GE =-15V L S =46 nH ,T j =150 o C

41.2

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

199

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

36.3

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I C =150A, T j =150 o C

0.90

V

I R

Terugstroom

T j =150 o C,V R =1800V

3.0

mA

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R thJC

Junctie -tot -Geval (perIGBT -inverter ) Aansluiting-tot-Geval (per DIODE-inverter ter) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-re ctifier)

0.181 0.300 0.289

K/W

R thCH

Geval -tot -Verwarmingssink (perIGBT -inverter )Case-naar-Koelplaat (per Diode-i nverter) Case-naar-Koelplaat (per Diode-re ctifier) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.092 0.152 0.146 0.009

K/W

M

Montage-koppel Schroef:M5

3.0

6.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

g