GD1000HTA75P6HT

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 750V 1000A ,P6 .

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
Lage schakellosses
6 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerd koper pinfin baseplate met gebruik van Si3N4 AMB technologie

Typische toepassingen

Automobieltoepassing
Hybride en elektrische voertuigen
Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W

Absoluut Maximum Beoordelingen T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarden	Eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	750	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I CN	Geïmplementeerde collector Cu rrent	1000	A
I C	Verzamelaarsstroom @ T F =125 o C	450	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t p =1 ms	2000	A
P D	Maximale vermogensafvoer atie @ T F = 75 o C T vj = 175 o C	1282	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarden	Eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd	750	V
I FN	Geïmplementeerde collector Cu rrent	1000	A
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	450	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms	2000	A

Module

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
T vjmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	o C
T vjop	Werkpunttemperatuur continu Tijdens 10 seconden binnen een periode van 30s, voorkomen maximaal 3000 keer over de levensduur	-40 tot +150 +150 tot +175	o C
T STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	o C
V Iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 min.	2500	V
d - Wat een rotzooi.	Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal	9.0 9.0	mm
d Helder	Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal	4.5 4.5	mm

IGBT Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C = 450 A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.10

1.35

V

I C = 450 A,V GE =15V, T vj =150 o C

1.10

I C = 450 A,V GE =15V, T vj = 175 o C

1.10

I C =1000A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.40

I C =1000A,V GE =15V, T vj = 175 o C

1.60

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =12.9 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.4

7.0

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

1.2

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

66.7

nF

C oes

Uitgangscondensator

1.50

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.35

nF

Q G

Gate-lading

V CE =400V,I C = 450A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C = 450A,

R Gaat u goed? = 1,2Ω, R Goff. =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =25 o C

244

n

t r

Opstijgtijd

61

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

557

n

t f

Ouderdom

133

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

11.0

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

22.8

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C = 450A,

R Gaat u goed? = 1,2Ω, R Goff. =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =150 o C

260

n

t r

Opstijgtijd

68

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

636

n

t f

Ouderdom

226

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

16.9

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

32.2

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C = 450A,

R Gaat u goed? = 1,2Ω, R Goff. =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj = 175 o C

264

n

t r

Opstijgtijd

70

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

673

n

t f

Ouderdom

239

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

19.2

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

33.6

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 6 μs, V GE =15V,

T vj =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P ≤3μs, V GE =15V,

T vj = 175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Diode Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F = 450 A,V GE =0V,T vj = 2 5o C		1.40	1.65	V
		I F = 450 A,V GE =0V,T vj =150 o C		1.35
		I F = 450 A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.30
		I F =1000A,V GE =0V,T vj =25 o C		1.80
		I F =1000A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.80
Q r	Teruggevorderde heffing	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=7809A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T vj =25 o C		18.5		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			303		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			3.72		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=6940A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T vj =150 o C		36.1		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			376		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			8.09		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=6748A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T vj = 175 o C		40.1		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			383		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			9.01		mJ

NTC Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
R 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
∆R/R	Afwijking van R 100	T C =100 o C r 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen Dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		8		nH
R CC+EE	Module loodweerstand, terminal tot chip		0.75		mΩ
p	Maximale druk in koelcircuit - De koek T basisker < 40 o C T basisker > 40 o C (relatieve druk)			2.5 2.0	bar
R de JF	Junctie -om -Koeling Vloeistof (perIGBT )Junctie-naar-koelvloeistof (per D iodum) △ V/ △ t=10,0 dm 3/min. ,T F = 75 o C		0.068 0.105	0.078 0.120	K/W
M	Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.m
G	Gewicht van Module		750		g