GD300HFX170C2SA,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C

493

300

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 o C

1829

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

300

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =300A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.30

V

Saya C =300A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

Saya C =300A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =12.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

2.5

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.88

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

T vj =25 o C

355

n

t r

Masa naik

71

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

473

n

t f

Waktu kejatuhan

337

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

89.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

46.3

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

T vj =125 o C

383

n

t r

Masa naik

83

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

549

n

t f

Waktu kejatuhan

530

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

126

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

68.5

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

T vj =150 o C

389

n

t r

Masa naik

88

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

575

n

t f

Waktu kejatuhan

585

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

139

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

73.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

1200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F =300A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.80

2.25

V

Saya F =300A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.95

Saya F =300A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3247A/μs,V GE =-15V Ls =42 nH ,T vj =25 o C

68

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

202

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

34.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2579A/μs,V GE =-15V Ls =42 nH ,T vj =125 o C

114

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

211

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

61.2

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2395A/μs,V GE =-15V Ls =42 nH ,T vj =150 o C

136

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

217

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

73.9

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.35

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.082 0.127

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.033 0.051 0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi Modul

300

g